[发明专利]一种刻蚀装置在审
申请号: | 202211447504.9 | 申请日: | 2022-11-18 |
公开(公告)号: | CN115863131A | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 蔡三勇;王兆丰;王世宽 | 申请(专利权)人: | 无锡尚积半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 苏州京昀知识产权代理事务所(普通合伙) 32570 | 代理人: | 顾友 |
地址: | 214135 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 装置 | ||
1.一种刻蚀装置,其特征在于,包括:
反应腔,所述反应腔限定出反应空间;
上电极,所述上电极设置于所述反应空间中,所述上电极与至少两个输出不同功率范围的上射频电源连接;
通信器,所述通信器与至少两个所述上射频电源信号连接;
控制器,所述控制器与所述通信器信号连接,用于通过所述通信器向所述上射频电源发送控制信号,以切换所述上电极输出的电源功率,调整所述反应空间中等离子轰击速率。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述通信器包括至少两个支持不同通信方式的通信单元。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述反应腔在靠近所述上电极的侧壁上形成进气口。
4.如权利要求1-3中任一项所述的装置,其特征在于,还包括:
下电极,所述下电极与所述上电极相对地设置在所述反应空间中,用于承载待测样片,所述下电极与下射频电源连接。
5.如权利要求4所述的装置,其特征在于,所述反应腔在靠近所述下电极的侧壁上形成出气口。
6.如权利要求1-3中任一项所述的装置,其特征在于,还包括:
显示器,所述显示器与所述控制器电连接,用于显示和设定所述通讯器与上射频电源的通讯参数。
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