[发明专利]一种刻蚀装置在审

专利信息
申请号: 202211447504.9 申请日: 2022-11-18
公开(公告)号: CN115863131A 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 蔡三勇;王兆丰;王世宽 申请(专利权)人: 无锡尚积半导体科技有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 苏州京昀知识产权代理事务所(普通合伙) 32570 代理人: 顾友
地址: 214135 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 刻蚀 装置
【说明书】:

发明公开了一种刻蚀装置,包括:反应腔,所述反应腔限定出反应空间;上电极,所述上电极设置于所述反应空间中,所述上电极与至少两个输出不同功率范围的上射频电源连接;通信器,所述通信器与至少两个所述上射频电源信号连接;控制器,所述控制器与所述通信器信号连接,用于通过所述通信器向所述上射频电源发送控制信号,以切换所述上电极输出的电源功率,调整所述反应空间中等离子轰击速率。本发明实施例提供的刻蚀装置,可根据刻蚀工艺的速率需求设置输出的射频功率,自动切换至适合最佳应用范围的射频电源,切换过程无需刻蚀中断,满足单反应腔的刻蚀装置能够适应多样化的工艺需求。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种刻蚀装置。

背景技术

在半导体刻蚀领域,刻蚀机中起到主要轰击作用的是上电极射频电源,刻蚀速率的大小主要受射频电源的最大输出功率和最佳应用范围的限制。随着工艺不断提升,不同刻蚀速率的需求日益增加。但是,由于上电极射频电源通常都是单电源模式,现有的刻蚀机仅能通过多个刻蚀腔体完成不同速率的刻蚀需求。

基于上述问题,若通过多腔体切换实现高低刻蚀速率,在实际的刻蚀工艺中,腔体切换对中断工艺的连续性,影响效率,并且,设置多个反应腔会增加经济成本。若采用同一个腔体,对较薄层次刻蚀也采用高刻蚀速率刻蚀,由于刻蚀时间短,刻蚀终点检测就很难抓取控制。

发明内容

为了解决现有技术中的至少一个技术问题,本发明实施例提供了一种刻蚀装置。技术方案如下:

一种刻蚀装置,包括:

反应腔,所述反应腔限定出反应空间;

上电极,所述上电极设置于反应空间中,所述上电极与至少两个输出不同功率范围的上射频电源连接;

通信器,所述通信器与所述上射频电源信号连接;

控制器,所述控制器与所述通信器信号连接,用于通过所述通信器向所述上射频电源发送控制信号,以切换所述上电极输出的电源功率,调整所述反应空间中等离子轰击速率。

进一步地,所述通信器包括至少两个支持不同通信方式的通信单元。

进一步地,所述反应腔在靠近所述上电极的侧壁上形成进气口。

进一步地,还包括:

下电极,所述下电极与所述上电极相对地设置在所述反应空间中,用于承载待测样片,所述下电极与下射频电源连接。

进一步地,所述反应腔在靠近所述下电极的侧壁上形成出气口。

进一步地,所述装置还包括:

显示器,所述显示器与所述控制器电连接,用于显示和设定所述通讯器和所述上射频电源的通讯参数。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括:

本发明实施例提供的刻蚀装置,提供的单反应腔可以兼容配置两个或多个不同功率范围的射频电源,可根据刻蚀工艺的速率需求设置输出的射频功率,自动切换至适合最佳应用范围的射频电源,切换过程无需刻蚀中断,满足单反应腔的刻蚀装置能够适应多样化的工艺需求。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的刻蚀装置结构示意图;

图2是本发明实施例提供的上射频电源与控制器连接示例图;

图3是本发明实施例提供的显示器中通讯参数设置界面。

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