[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有隔离LDMOS区和存储器件区的第一沟槽隔离结构；

栅极层，所述栅极层包括相连接的栅极横向部和栅极纵向部，所述栅极横向部从所述LDMOS区经所述第一沟槽隔离结构延伸至所述存储器件区，所述栅极纵向部位于所述LDMOS区的第一沟槽隔离结构中，所述栅极横向部与所述存储器件区的衬底之间夹有隧穿氧化层，所述栅极纵向部与所述LDMOS区的衬底之间夹有栅氧层；

漂移区，形成于所述LDMOS区的衬底中；

第一源极区和第一漏极区，所述第一源极区形成于所述漂移区中，所述第一漏极区形成于所述第一源极区远离所述栅极纵向部一侧的所述漂移区中；

第二源极区和第二漏极区，所述第二源极区和所述第二漏极区分别形成于所述存储器件区的所述栅极横向部两侧的衬底中，所述第二漏极区与所述栅极横向部之间夹有部分所述隧穿氧化层。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

第一阱区，形成于所述漂移区中，所述第一阱区包围所述第一源极区，所述第一阱区与所述栅极纵向部之间夹有部分所述栅氧层；

第二阱区，形成于所述存储器件区的衬底中，所述第二阱区包围所述第二源极区和所述第二漏极区。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

第一体接触区，形成于所述第一源极区远离所述栅极纵向部一侧的所述第一阱区中；

第二体接触区，形成于所述第二源极区远离所述第二漏极区一侧的第二阱区中。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底为SOI衬底，包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和上层半导体层，所述第一沟槽隔离结构与所述绝缘埋层连接。

5.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一源极区、所述第一漏极区、所述第一体接触区、所述第二源极区、所述第二漏极区和所述第二体接触区上形成有电极，且所述第一源极区上的电极与所述第一体接触区上的电极连接。

6.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二体接触区与所述第二源极区之间形成有第二沟槽隔离结构。

7.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二阱区和所述第二体接触区的掺杂类型为N型，所述第二源极区和所述第二漏极区的掺杂类型为P型；所述漂移区、所述第一源极区和所述第一漏极区的掺杂类型为P型时，所述第一阱区和所述第一体接触区的掺杂类型为N型；所述漂移区、所述第一源极区和所述第一漏极区的掺杂类型为N型时，所述第一阱区和所述第一体接触区的掺杂类型为P型。

8.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件的编程包括：

于所述第一源极区施加第一正电压，且于所述第二漏极区施加负电压，所述第二源极区浮空，所述第二体接触区接地。

9.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件的擦除包括：

于所述第二漏极区、所述第二源极区和所述第二体接触区分别施加第二正电压。