[发明专利]混合接合的堆叠管芯封装组件的湿气密封涂层在审

专利信息
申请号: 202211462455.6 申请日: 2022-11-17
公开(公告)号: CN116314052A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: D·马利克;M·E·卡比尔;N·德什潘德;O·卡哈德;A·萨卡尔;S·阿格拉哈拉姆;C·佩尔托;G-S·金;R·马哈詹 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/00;H01L25/18;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 申屠伟进;吕传奇
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 混合 接合 堆叠 管芯 封装 组件 湿气 密封 涂层
【权利要求书】:

1.一种微电子封装结构,包括:

第一管芯,包括一个或多个第一导电结构以及在所述第一导电结构中的个别第一导电结构之间的第一电介质材料:

包括一个或多个第二导电结构的第二管芯,直接在所述一个或多个第一导电结构的第一集合上的;

第三管芯,与所述第二管芯相邻,包括一个或多个第三导电结构的所述第三管芯直接在所述一个或多个第一导电结构的第二集合上;

第一层,在所述第二管芯的侧壁、所述第三管芯的侧壁上以及在与所述第二管芯侧壁或所述第三管芯侧壁相邻的区中在所述第一管芯导电特征上;以及

在所述第一层上的第二层,其中,所述第二层包括与所述第二管芯和所述第三管芯的顶表面基本共面的表面。

2.根据权利要求1所述的微电子封装结构,其中,所述第一层直接在所述第一管芯电介质材料与第二管芯侧壁或第三管芯侧壁中的至少一个之间的拐角区上。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的微电子封装结构,其中,所述第一层包括扩散阻挡层。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的微电子封装结构,其中,所述第一层的一部分直接在所述第一管芯的位于与所述第二管芯或所述第三管芯的侧壁相邻的有源区上。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子封装结构,其中,所述第一层的所述部分包括台阶结构,所述台阶结构包括在所述第一管芯电介质材料的侧壁上的第一部分和直接在所述第一管芯的有源区上的第二部分,其中,在所述第一部分和所述第二部分之间是大约90度的角度。

6.根据权利要求1-6中任一项所述的微电子封装结构,其中,所述第一层包括氧化铝、硅、氧或氮中的一个或多个。

7.根据权利要求1-7中任一项所述的微电子封装结构,其中,所述第二层包括模制材料。

8.根据权利要求1-8中任一项所述的微电子封装结构,其中,所述微电子封装结构包括混合接合3D堆叠管芯封装的一部分。

9.根据权利要求1-9中任一项所述的微电子封装结构,其中,所述第一层包括在50nm至100nm之间的厚度。

10.根据权利要求1-10中任一项所述的微电子封装结构,其中,第三层在所述第二管芯的表面上和在所述第三管芯的表面上,其中,所述第三层包括金,其中,所述第三层在所述第一层之上。

11.一种计算机系统,包括;

电源;

耦合到所述电源的一个或多个集成电路封装,其中,所述集成电路封装中的至少一个还包括:

第一管芯,包括一个或多个第一导电结构以及在所述第一导电结构中的个别第一导电结构之间的第一电介质材料:

包括一个或多个第二导电结构的第二管芯,直接在所述一个或多个第一导电结构的第一集合上;

第三管芯,与所述第二管芯相邻,包括一个或多个第三导电结构的所述第三管芯直接在所述一个或多个第一导电结构的第二集合上;以及

直接在所述第一管芯上与所述第二管芯的侧壁相邻的层,其中,所述层包括在50nm至100nm之间的厚度。

12.根据权利要求11所述的计算机系统,还包括直接在所述层上的填充层,其中,所述填充层包括与所述第一管芯和所述第二管芯的顶表面基本共面的表面。

13.根据权利要求11-12中任一项所述的计算机系统,其中,所述层包括多层扩散阻挡层,其中,第一扩散层包括50至100nm的厚度,并且第二扩散层包括50至150nm的厚度。

14.根据权利要求11-13中任一项所述的计算机系统,其中,所述第一扩散层包括硅和氮,并且所述第二扩散层包括氧化铝材料。

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