[发明专利]芯片参数自适应查找修调方法及装置在审

专利信息
申请号: 202211462756.9 申请日: 2022-11-21
公开(公告)号: CN116126605A 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: 白世发;谢凯;卢旭坤;袁俊;齐聪博;张亦锋 申请(专利权)人: 广东利扬芯片测试股份有限公司
主分类号: G06F11/22 分类号: G06F11/22;H01L21/66
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 刘光明
地址: 523000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 芯片 参数 自适应 查找 方法 装置
【说明书】:

发明公开了一种芯片参数自适应查找修调方法及装置,其中芯片参数自适应查找修调方法为利用测试得到初始值和最大修调值并结合目标修调值以第一公式计算得到自适应数值,转换自适应数值为自适应修调码并输入芯片以测试得到自适应修调值,确定自适应修调值是否处于预设范围;不处于预设范围,则以第二公式或第三公式重新计算自适应数值;处于所述预设范围,则将对应的自适应修调码作为选定修调码。本发明根据目标修调值与初始值的差值在最大修调值与初始值的差值所占比例来自适应预估修调码,能够改善二分法每次只能对半查找修调值的局限性,进而实现快速地查找得到芯片的选定修调码,有效地减少了修调时间,提高芯片参数的修调效率。

技术领域

本发明涉及一种芯片参数修调技术领域,尤其涉及一种芯片参数自适应查找修调方法及装置。

背景技术

半导体生产技术与设备越来越先进,但在制造过程中依然会出现缺陷,因此大部分有参考电压、参考电流等基准参数的芯片在设计时都会嵌入修调电路,以便在晶圆探针测试和封装测试时通过改变这些电路来纠正影响器件参数的工艺变化;

修调技术分为熔丝烧断修调,激光修调,电子熔丝修调,齐纳二极管短路修调,非挥发性存储单元修调等,其中非挥发性存储单元具有重复修调,修调精度高等优势。非挥发性存储单元芯片参数修调电路如图1和图2所示通过存储单元控制第一元器件和第二元器件来调整AB两点之间电阻,进而修调AB两点之间的参数(电压、电流等)。

目前的修调电路中的修调电阻的阻值一般会按一定的规律设置以使芯片参数修调step有规律,即:将所有的修调码从小到大依次输入芯片后测试得到的AB两点之间的参数的修调值逐渐减小或增大,因此可以采用二分法来查找芯片的最佳修调码,虽然二分法的实现比较简单并且查找速度比全搜索法快,但二分法每次只能对半查找,假如最佳修调码的码值接近修调码值边界(最大修调码或最小修调码),那么采用二分法来查找芯片的最佳修调码同样也会花费较长的时间,而导致芯片参数的修调效率低。

发明内容

本发明的目的是提供一种芯片参数自适应查找修调方法及装置,能够减少修调时间,有效地提高芯片参数的修调效率。

为了实现上述目的,本发明公开了一种芯片参数自适应查找修调方法,其包括如下步骤:

S100、测试无修调码输入的芯片以得到所述芯片的芯片参数的初始值;

S110、输入最大修调码至所述芯片以测试得到所述芯片的最大修调值;

S120、以第一公式计算自适应数值m,所述第一公式为其中V0为所述初始值,V1为所述芯片的目标修调值,V2为所述最大修调值,M为所述最大修调码转换得到的计算数值;

S130、转换所述自适应数值为自适应修调码,并输入所述自适应修调码至所述芯片以测试得到所述芯片的自适应修调值;

S140、确定所述自适应修调值是否处于预设范围,如果不处于所述预设范围,则执行步骤S150;如果处于所述预设范围,则执行步骤S190;

S150、计算所述自适应修调值与所述初始值的差值U1以及所述自适应修调值与所述最大修调值的差值U2;

S160、比较U1和U2的大小,如果U1≤U2,则执行步骤S170,如果U1U2,则执行步骤S180;或者,如果U1U2,则执行步骤S170;如果U1≥U2,则执行步骤S180;

S170、以第二公式重新计算自适应数值m,所述第二公式为其中,V0为所述初始值,V1为所述芯片的目标修调值,V3为所述自适应修调值,n为步骤130中的所述自适应数值,并返回步骤S130和S140;

S180、以第三公式重新计算自适应数值m,所述第三公式为其中,V1为所述目标修调值,V2为所述最大修调值,V3为所述自适应修调值,M为所述计算数值,n为步骤130中的所述自适应数值,并返回步骤S130和S140;

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