[发明专利]含有多层级电力基板的射频封装和相关联制造方法在审
申请号: | 202211465531.9 | 申请日: | 2022-11-22 |
公开(公告)号: | CN116314043A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 龚志伟;李黎;李璐;L·维斯瓦纳坦;F·A·桑托斯;B·J·卡彭特 | 申请(专利权)人: | 恩智浦美国有限公司 |
主分类号: | H01L23/14 | 分类号: | H01L23/14;H01L23/13;H01L23/367;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/495;H01L23/498 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含有 多层 电力 射频 封装 相关 制造 方法 | ||
1.一种用于制造并入到射频(RF)封装中的多层级电力基板的方法,其特征在于,所述方法包括:
产生由多层级电力基板的预单分阵列构成的多层级基板片,产生包括:
获得基底片层级,所述基底片层级含有预制基底结构并具有供所述预制基底结构的金属表面从中暴露的表面;以及
在所述基底片层级上形成次级片层级,所述次级片层级包括图案化金属特征,所述图案化金属特征嵌入次级介电体中并在直接镀覆界面处电接触所述预制基底结构的暴露的金属表面;以及
将多层级电力基板的所述预单分阵列分成单分多层级电力基板,每个单分多层级电力基板包括由所述基底片层级的单分件形成的基底基板层级和由所述次级基板层级的单分件形成的次级基板层级。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,另外包括:
产生所述多层级基板片以具有片宽管芯支撑表面和在基板厚度方向截取来看与所述片宽管芯支撑表面相对的片宽背侧表面;以及
结合产生所述多层级基板片,在所述基底片层级中和在所述次级片层级中形成从所述片宽管芯支撑表面延伸到所述片宽背侧表面的热耗散结构。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,另外包括在将多层级电力基板的所述预单分阵列分成单分多层级电力基板之前,将集成电路(IC)管芯附接到所述片宽管芯支撑表面并将所述IC管芯与所述多层级基板片中所含的布线特征电互连。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述热耗散结构包括形成为在所述直接镀覆界面处接触的导热管芯安装区和散热器区;
其中所述方法包括产生所述多层级基板片,使得所述散热器区沿着所述片宽背侧表面暴露,而所述导热管芯安装区沿着所述片宽管芯支撑表面暴露。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述预制基底结构包括嵌入于所述基底基板层级中并含有所述导热管芯安装区的电布线的插入件;
其中所述方法另外包括结合所述次级片层级中所含的所述图案化金属特征的形成而通过将所述散热器区直接镀覆到所述电布线的插入件的所述导热管芯安装区上来产生所述散热器区。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,另外包括选择所述电布线的插入件和所述散热器区以分别包括印刷电路板(PCB)插入件和嵌入于所述PCB插入件中的金属币块。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述PCB插入件另外包括电布线特征;并且
其中所述方法另外包括形成所述次级片层级中所含的所述图案化金属特征以另外包括端块,所述端块镀覆到所述PCB插入件上并与所述电布线特征电接触,所述端块沿着所述次级基板层级的背侧表面暴露。
8.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述预制基底结构包括引线框,所述引线框连接为引线框阵列并且包括引线框管芯垫;并且
其中所述方法另外包括结合将多层级电力基板的所述预单分阵列分成单分多层级电力基板来单分所述引线框阵列,使得所述单分多层级电力基板各自含有所述引线框管芯垫中的至少一者,从而形成所述热耗散结构的所述散热器区。
9.一种用于并入到射频(RF)封装中的多层级电力基板,其特征在于,所述多层级电力基板包括:
基底基板层级;
次级基板层级,其形成于所述基底基板层级上方并接合到所述基底基板层级;
管芯支撑表面,其由所述基底基板层级和所述次级基板层级中的第一者限定;
背侧表面,其由所述基底基板层级和所述次级基板层级中的第二者限定,所述背侧表面在基板厚度方向截取来看与所述管芯支撑表面相对定位;以及
嵌入式热耗散结构,其在所述基底基板层级中和所述次级基板层级中形成,所述嵌入式热耗散结构包括:
散热器区,其沿着所述多层级电力基板的所述背侧表面暴露;以及
导热管芯安装区,其沿着所述多层级电力基板的所述管芯支撑表面暴露,所述导热管芯安装区在直接镀覆界面处连接到所述散热器区,所述直接镀覆界面形成于所述基底基板层级与所述次级基板层级之间。
10.一种射频(RF)封装,其特征在于,包括:
多层级电力基板,其包括:
基底基板层级;
次级基板层级,其形成于所述基底基板层级上方并接合到所述基底基板层级;
管芯支撑表面,其由所述基底基板层级和所述次级基板层级中的第一者限定;
背侧表面,其由所述基底基板层级和所述次级基板层级中的第二者限定,所述背侧表面在基板厚度方向截取来看与所述管芯支撑表面相对定位;以及
嵌入式热耗散结构,其在所述基底基板层级中和所述次级基板层级中形成,所述嵌入式热耗散结构包括:
散热器区,其沿着所述多层级电力基板的所述背侧表面暴露;以及
导热管芯安装区,其沿着所述多层级电力基板的所述管芯支撑表面暴露,所述导热管芯安装区在直接镀覆界面处连接到所述散热器区,所述直接镀覆界面形成于所述基底基板层级与所述次级基板层级之间;
封装端,其可从所述RF封装的外部接取;以及
RF功率管芯,其安装到所述导热管芯安装区并通过所述多层级电力基板电耦合到所述封装端。
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