[发明专利]含有多层级电力基板的射频封装和相关联制造方法

说明书

公开了含有多层级电力基板的射频(RF)封装和相关联的制造方法。在实施例中，所述方法包括通过获得基底片层级来产生多层级基板片，所述基底片层级含有预制基底结构并具有供所述预制基底结构的金属表面从中暴露的表面。次级片层级形成于基底层上以包括图案化金属特征，所述图案化金属特征嵌入于次级介电体中并在直接镀覆界面处电接触所述预制基底结构的暴露的金属表面。多层级电力基板的预单分阵列被分成单分多层级电力基板，每个单分多层级电力基板包括由所述基底片层级的单分件形成的基底基板层级和由所述次级基板层级的单分件形成的次级基板层级。

技术领域

本公开的实施例大体上涉及微电子，并且更具体地，涉及用于射频(RF)封装的混合或多层级电力基板以及用于制造此类多层级电力基板和RF封装的方法。

背景技术

射频(RF)封装目前利用若干类型的电力基板制造；也就是说，允许通过基板的实心金属或高金属含量部分电连接到RF封装内的一个或多个RF功率管芯的基板。RF功率管芯可含有基于晶体管的集成电路(IC)，例如场效应晶体管(FET)IC，以用于RF信号放大目的。在一个常见布置中，通过利用焊料或另一导电接合材料将IC管芯安装到电力基板的金属区来将管芯承载的FET的源极端电耦合到封装接地端。电力基板可采用不具有电布线的金属(例如，铜)基底凸缘的形式，其中基底凸缘的未填充背侧从封装外部暴露以充当封装接地端。在其它情况下，电力基板可采用电布线的印刷电路板(PCB)的形式，所述印刷电路板含有封装IC管芯或多个封装IC管芯所附接到的嵌入式金属压印件或另一高金属含量结构(例如，条形或盆形通孔)。而其它类型的RF封装，例如无引线封装和焊盘网格阵列封装，通常利用基于引线框的基板制造，所述基于引线框的基板包括中心金属块或管芯垫，封装IC管芯安装到所述中心金属块或管芯垫以用于热耗散和电互连目的。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供一种用于制造并入到射频(RF)封装中的多层级电力基板的方法，所述方法包括：产生由多层级电力基板的预单分阵列构成的多层级基板片，产生包括：获得基底片层级，所述基底片层级含有预制基底结构并具有供所述预制基底结构的金属表面从中暴露的表面；以及在所述基底片层级上形成次级片层级，所述次级片层级包括图案化金属特征，所述图案化金属特征嵌入次级介电体中并在直接镀覆界面处电接触所述预制基底结构的暴露的金属表面；以及将多层级电力基板的所述预单分阵列分成单分多层级电力基板，每个单分多层级电力基板包括由所述基底片层级的单分件形成的基底基板层级和由所述次级基板层级的单分件形成的次级基板层级。

根据一个或多个实施例，方法另外包括：产生所述多层级基板片以具有片宽管芯支撑表面和在基板厚度方向截取来看与所述片宽管芯支撑表面相对的片宽背侧表面；以及结合产生所述多层级基板片，在所述基底片层级中和在所述次级片层级中形成从所述片宽管芯支撑表面延伸到所述片宽背侧表面的热耗散结构。

根据一个或多个实施例，方法另外包括在将多层级电力基板的所述预单分阵列分成单分多层级电力基板之前，将集成电路(IC)管芯附接到所述片宽管芯支撑表面并将所述IC管芯与所述多层级基板片中所含的布线特征电互连。

根据一个或多个实施例，所述热耗散结构包括形成为在所述直接镀覆界面处接触的导热管芯安装区和散热器区；其中所述方法包括产生所述多层级基板片，使得所述散热器区沿着所述片宽背侧表面暴露，而所述导热管芯安装区沿着所述片宽管芯支撑表面暴露。

根据一个或多个实施例，所述预制基底结构包括嵌入于所述基底基板层级中并含有所述导热管芯安装区的电布线的插入件；其中所述方法另外包括结合所述次级片层级中所含的所述图案化金属特征的形成而通过将所述散热器区直接镀覆到所述电布线的插入件的所述导热管芯安装区上来产生所述散热器区。

根据一个或多个实施例，方法另外包括选择所述电布线的插入件和所述散热器区以分别包括印刷电路板(PCB)插入件和嵌入于所述PCB插入件中的金属币块。

根据一个或多个实施例，所述PCB插入件另外包括电布线特征；并且