[发明专利]一种高压LDMOS及其制造方法

权利要求书

1.一种高压LDMOS，其特征在于，至少包括：

基底、所述基底浅区域设有相互间隔分布的第一、第二STI区；所述第一STI区包括多个相互间隔分布的分段结构；所述基底深区域设有将所述第一STI区包裹在内的漂移区；所述多个相互间隔分布的分段结构的底部设有浅层反型区；所述浅层反型区由硼离子注入形成；所述第一STI区上表面、所述漂移区上表面均位于所述基底上表面；所述第二STI区的一部分被所述漂移区包裹；

所述第一、第二STI区之间设有第一N+区，所述第二STI区远离所述第一STI区的一侧设有第二N+区；所述第一N+区和第二N+区上表面均位于所述基底上表面；

所述第二STI区远离所述第一STI区的一侧设有深阱；所述深阱将所述第二STI区的一部分包裹；所述深阱中设有将所述第二N+区包裹的N阱；

所述第一STI区远离所述第二STI区的一侧设有P阱；所述基底上表面设有覆盖所述P阱一侧和所述漂移区一侧以及所述第一STI区一侧的场板；所述P阱内还设有P+区和第三N+区。

2.根据权利要求1所述的高压LDMOS，其特征在于：所述第一STI区包括两个相互间隔分布的分段结构。

3.根据权利要求2所述的高压LDMOS，其特征在于：所述基底内设有埋氧层；所述漂移区、深阱、N阱以及P阱均位于所述埋氧层上方。

4.根据权利要求3所述的高压LDMOS，其特征在于：所述埋氧层为N型埋氧层；所述漂移区为N型漂移区；所述深阱为N型深阱。

5.根据权利要求4所述的高压LDMOS，其特征在于：所述N型深阱的深度比所述N型漂移区的深度深。

6.根据权利要求1所述的高压LDMOS，其特征在于：所述浅层反型区中的硼离子的注入能量为20～30Kev，注入剂量为1～e12/cm2。

7.根据权利要求1所述的高压LDMOS，其特征在于：所述场板为多晶硅，由金属引出形成栅极；所述第一、第二N+区由金属引出形成漏极；所述P+区和第三N+区由金属引出形成源极和基极。

8.根据权利要求1～7任意一项所述的高压LDMOS的制造方法，其特征在于，至少包括：

步骤一、提供基底，在所述基底上定义有源区，并刻蚀所述基底在所述基底浅区域形成将所述有源区隔离开的第一、第二STI沟槽；其中所述第一、第二STI沟槽相互间隔分布，并且所述第一STI沟槽包括多个相互间隔分布的分段沟槽；

步骤二、在所述第一、第二STI沟槽的内壁形成内衬氧化层；

步骤三、注入硼离子，在所述第一STI沟槽的分段沟槽外围的侧壁及底部形成浅层反型层；之后填充所述第一、第二STI沟槽，形成第一、第二STI区；被填充后的所述多个相互间隔分布的分段沟槽形成为多个相互间隔分布的分段结构；

步骤四、在所述基底中通过离子注入形成漂移区、深阱、N阱以及P阱；其中所述漂移区将所述第一STI区包裹在内；在漂移区的离子注入过程中，多个相互间隔分布的分段结构外围侧壁的所述浅层反型层被消耗，所述分段结构外围底部的所述浅层反型层被保留；

所述第一STI区上表面、所述漂移区上表面均位于所述基底上表面；所述第二STI区的一部分被所述漂移区包裹；所述深阱位于所述第二STI区远离所述第一STI区的一侧；所述深阱将所述第二STI区的一部分包裹；所述N阱位于所述深阱中；所述P阱位于所述第一STI区远离所述第二STI区的一侧；

步骤五、形成第一至第三N+区以及P+区；其中所述第一N+区位于所述第一、第二STI区之间；所述第二N+区位于所述第二STI区远离所述第一STI区的一侧并被所述N阱包裹；所述第三N+区以及所述P+区位于所述P阱内；

步骤六、在所述基底上表面形成栅极氧化层，所述栅极氧化层覆盖所述P阱一侧和所述漂移区一侧以及所述第一STI区一侧；之后在所述栅极氧化层上形成场板。