[发明专利]一种高压LDMOS及其制造方法

说明书

本发明提供一种高压LDMOS及其制造方法，基底浅区域设有相互间隔分布的第一、第二STI区；第一STI区包括多个相互间隔分布的分段结构；基底深区域设有将第一STI区包裹的漂移区；多个相互间隔分布的分段结构的底部设有浅层反型区；浅层反型区由硼离子注入形成；第一、第二STI区之间设有第一N+区，第二STI区远离第一STI区的一侧设有第二N+区；第二STI区远离第一STI区的一侧设有深阱；深阱将第二STI区的一部分包裹；深阱中设有将第二N+区包裹的N阱；第一STI区远离第二STI区的一侧设有P阱；基底上表面设有场板；P阱内还设有P+区和第三N+区。本发明的LDMOS采用场板STI分段和STI后的硼离子注入；高压NLDMOS结构可以同时提高低导通电阻和高耐压的性能，改善了器件性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种高压LDMOS及其制造方法。

背景技术

常规高压NLDMOS需要高耐压，低导通电阻，漂移区注入难于平衡，通常工艺是利用poly场板和STI来承压，使电场从沟道向后移，来提高器件的耐压性能。但是当多晶硅场板和STI长度到达一定尺寸时候，漂移区处于完全耗尽之后，增加场板尺寸将不再能提高器件的耐压性能。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种高压LDMOS及其制造方法，用于解决现有技术中无法同时提高LDMOS的低导通电阻和耐高压性能的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种高压LDMOS，至少包括：

基底、所述基底浅区域设有相互间隔分布的第一、第二STI区；所述第一STI区包括多个相互间隔分布的分段结构；所述基底深区域设有将所述第一STI区包裹在内的漂移区；所述多个相互间隔分布的分段结构的底部设有浅层反型区；所述浅层反型区由硼离子注入形成；所述第一STI区上表面、所述漂移区上表面均位于所述基底上表面；所述第二STI区的一部分被所述漂移区包裹；

所述第一、第二STI区之间设有第一N+区，所述第二STI区远离所述第一STI区的一侧设有第二N+区；所述第一N+区和第二N+区上表面均位于所述基底上表面；

所述第二STI区远离所述第一STI区的一侧设有深阱；所述深阱将所述第二STI区的一部分包裹；所述深阱中设有将所述第二N+区包裹的N阱；

所述第一STI区远离所述第二STI区的一侧设有P阱；所述基底上表面设有覆盖所述P阱一侧和所述漂移区一侧以及所述第一STI区一侧的场板；所述P阱内还设有P+区和第三N+区。

优选地，所述第一STI区包括两个相互间隔分布的分段结构。

优选地，所述基底内设有埋氧层；所述漂移区、深阱、N阱以及P阱均位于所述埋氧层上方。

优选地，所述埋氧层为N型埋氧层；所述漂移区为N型漂移区；所述深阱为N型深阱。

优选地，所述N型深阱的深度比所述N型漂移区的深度深。

优选地，所述浅层反型区中的硼离子的注入能量为20～30Kev，注入剂量为1～e12/cm2。

优选地，所述场板为多晶硅，由金属引出形成栅极；所述第一、第二N+区由金属引出形成漏极；所述P+区和第三N+区由金属引出形成源极和基极。

本发明还提供一种高压LDMOS的制造方法，至少包括：

步骤一、提供基底，在所述基底上定义有源区，并刻蚀所述基底在所述基底浅区域形成将所述有源区隔离开的第一、第二STI沟槽；其中所述第一、第二STI沟槽相互间隔分布，并且所述第一STI沟槽包括多个相互间隔分布的分段沟槽；

步骤二、在所述第一、第二STI沟槽的内壁形成内衬氧化层；