[发明专利]具有不同过孔和金属选择性沉积的交错的且垂直间隔开的集成电路线金属化在审
| 申请号： | 202211467313.9 | 申请日： | 2022-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN116344499A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | E·卡尔波夫;M·雷什奥特克;S·B·格伦迪宁;J-R·陈;M·梅茨 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 不同 金属 选择性 沉积 交错 垂直 间隔 集成 路线 金属化 | ||
1.一种集成电路(IC)互连结构，包括：
多条第一互连线，所述多条第一互连线位于所述结构的第一平面之内并且具有间距；
多条第二互连线，所述多条第二互连线位于所述结构的所述第一平面上方的第二平面之内，其中，所述第二互连线中的各条互连线包括填充材料上方的帽盖材料，并且与所述第一互连线横向交错小于所述间距；以及
多个互连过孔，所述多个互连过孔位于所述结构的所述第二平面上方的第三平面之内，其中，所述互连过孔中的第一互连过孔与所述第一互连线中的一条互连线相交，并且其中，所述互连过孔中的第二互连过孔与所述第二互连线中的一条互连线相交。
2.根据权利要求1所述的IC互连结构，其中：
电介质材料位于所述第二互连线中的各条互连线之间；
所述互连过孔中的所述第一互连过孔穿过所述电介质材料；并且
所述帽盖材料包括金属。
3.根据权利要求2所述的IC互连结构，其中，所述帽盖材料主要包括Ru、Co、Mo、W、Ni、Pd或Ir。
4.根据权利要求1-3中的任一项所述的IC互连结构，其中，所述填充材料主要是Cu，并且所述帽盖材料主要包括Co、Mo、W、Ni、Pd或Ir。
5.根据权利要求1-3中的任一项所述的IC互连结构，其中，所述填充材料主要是W，并且所述帽盖材料主要包括Ru、Co、Mo、Ni、Pd或Ir。
6.根据权利要求1-3中的任一项所述的IC互连结构，其中，所述填充材料主要是Ru，并且所述帽盖材料主要包括Mo或W。
7.根据权利要求1-3中的任一项所述的IC互连结构，其中：
所述第二互连线基本平行于所述第一互连线；
所述第一平面不穿过所述第二互连线；
所述第二平面不穿过所述第一互连线；并且
所述第二互连线中的各条互连线与所述第一互连线横向交错大约所述间距的一半。
8.根据权利要求1-3中的任一项所述的IC互连结构，其中，所述帽盖材料基本不存在于所述第一互连线中。
9.根据权利要求1-3中的任一项所述的IC互连结构，其中，所述互连过孔中的所述第二互连过孔直接接触所述填充材料。
10.根据权利要求1-3中的任一项所述的IC互连结构，其中，所述帽盖材料位于所述填充材料和所述互连过孔中的所述第二互连过孔之间。
11.一种集成电路(IC)结构，包括：
器件层，所述器件层包括多个晶体管，所述晶体管包括半导体材料；以及
所述器件层上方的互连层级，其中，所述互连层级还包括：
多条第一互连线，所述多条第一互连线位于所述结构的第一平面之内并且具有间距；
多条第二互连线，所述多条第二互连线位于所述结构的所述第一平面上方的第二平面之内，其中，所述第二互连线中的各条互连线包括填充材料上方的帽盖材料，并且与所述第一互连线横向交错小于所述间距；以及
多个互连过孔，所述多个互连过孔位于所述结构的所述第二平面上方的第三平面之内，其中，所述互连过孔中的第一互连过孔与所述第一互连线中的一条互连线相交，并且其中，所述互连过孔中的第二互连过孔与所述第二互连线中的一条互连线相交。
12.一种计算机平台，包括：
电源；以及
耦接至所述电源的根据权利要求11所述的IC结构。
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