[发明专利]具有不同过孔和金属选择性沉积的交错的且垂直间隔开的集成电路线金属化

说明书

相邻互连线处于交错的并且垂直间隔开的位置，这相应减小了其在互连金属化的一个层级之内的电容耦合。矮的和高的互连过孔开口着陆于垂直交错的互连线上。在交错互连线中的上方互连线上选择性沉积的帽盖材料限制了矮过孔的过刻蚀，而使得高过孔朝向交错互连线中的下方互连线前进。不同深度的过孔开口可以例如利用单镶嵌金属化工艺填充，为交错的并且垂直间隔开的互连线上方的所有过孔金属化限定共面顶表面。

背景技术

电子装置应用中对更高性能集成电路(IC)的需求已经推动了越来越密集的晶体管架构。随着互连金属化结构的密度跟随晶体管密度而增大，互连寄生变成更大的挑战。例如，与IC的互连相关联的电阻-电容(RC)延迟随着互连的密度的增大而增大。

因此，相对于替代技术和结构，减小最近的互连线之间的电容性耦合而不减小与特定IC技术节点相关联的横向线间距的互连结构和制造此类结构的技术在商业上是有利的。

附图说明

在附图中通过举例方式而非通过限制方式对本文描述的素材给出了举例说明。为了例示的简单和清晰起见，图中所示元件未必是按比例绘制的。例如，为了清晰起见，一些元件的尺寸可能相对于其他元件被夸大。此外，在认为适当的情况下，在各附图之间采用重复的附图标记来表示对应的或类似的元件。在附图中：

图1是流程图，其示出了根据一些实施例制造IC的方法，所述IC具有垂直间隔开并且横向交错的具有不同过孔的线金属化；

图2、3、4、5、6、7、8、9、10和11示出了根据一些示范性实施例，在实践图1中所示方法的操作时涉及的IC互连结构的截面等距视图；

图12示出了根据一些实施例的采用具有嵌入式存储器的IC的移动计算平台和数据服务器机器，所述嵌入式存储器包括双壁铁电电容器；以及

图13是根据一些实施例的电子计算装置的功能框图。

具体实施方式

将参考附图来描述实施例。尽管详细绘示并且论述了具体配置和布置，但应当理解，这仅仅是为了例示性目的而做的。相关领域的技术人员将认识到，在不脱离本说明书的精神和范围的情况下，其他配置和布置是可能的。对于相关领域的技术人员而言显而易见的是，可以在本文详述之外的各种其他系统和应用中采用本文所述的技术和/或布置。

在以下具体实施方式中参考了附图，附图形成其部分并例示示范性实施例。此外，应当理解，在不脱离要求保护的主题范围的情况下，可以利用其他实施例并且可以做出结构和/或逻辑改变。还应该指出的是，可以使用方向和参考，例如，向上、向下、顶部、底部等，仅仅为了方便附图中特征的描述。因此，以下详细描述不应该被理解为限制性的意义，并且要求保护的主题的范围仅由所附权利要求及其等价要件界定。

在以下描述中，阐述了众多细节。然而，对本领域技术人员将显而易见的是，实施例可以在没有这些具体细节的情况下被实施。在一些情况下，公知的方法和装置以框图形式示出而非详细示出，以避免使实施例模糊不清。整个本说明书中所提到的“实施例”或“一个实施例”或“一些实施例”是指，结合实施例所描述的特定特征、结构、功能或特性包括在至少一个实施例中。因此，整个说明书中多处出现短语“在实施例中”或“在一个实施例中”或“一些实施例”不一定是指相同实施例。此外，特定特征、结构、功能或特性可以任何适当的方式结合在一个或多个实施例中。例如，只要与两个实施例相关联的特定特征、结构、功能或特性不是相互排斥的，就可以将第一实施例与第二实施例组合。

本文中的术语“相邻”一般是指事物的位置与另一事物挨着(例如，紧挨着或它们之间有一个或多个事物而接近)或毗连另一事物(例如，邻接)。

如说明书和所附权利要求中所使用的那样，单数形式的“一”、“一个”和“所述”旨在也包括复数形式，除非上下文清楚地以其他方式来指示。还将理解的是，本文中所使用的术语“和/或”是指并且涵盖相关联的所列出的项目中的一个或多个项目的任何和全部可能的组合。