[发明专利]包括混合堆叠功率级的数字电压调节器在审
申请号: | 202211470277.1 | 申请日: | 2022-11-23 |
公开(公告)号: | CN116339425A | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 李尔·吉尔;科斯塔·卢里亚;迈克尔·泽利克森 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 桑敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 混合 堆叠 功率 数字 电压 调节器 | ||
1.一种装置,包括:
位于电压调节器中的第一节点;
位于所述电压调节器中的第二节点;以及
所述电压调节器的功率级,所述功率级从所述第一节点接收第一电压并在所述第二节点处提供第二电压,所述功率级包括在所述第一节点和所述第二节点之间彼此并联耦合的第一电路路径和第二电路路径,所述第一电路路径包括耦合在所述第一节点和所述第二节点之间的第一数量的至少一个晶体管,并且所述第二电路路径包括耦合在所述第一节点和所述第二节点之间的第二数量的至少一个晶体管,其中所述第一数量不等于所述第二数量。
2.根据权利要求1所述的装置,还包括在所述第一节点和所述第二节点之间与所述第一电路路径和所述第二电路路径并联耦合的第三电路路径,所述第三电路路径包括耦合在所述第一节点和所述第二节点之间的第三数量的至少一个晶体管,其中所述第三数量不等于所述第二数量。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述第一数量的至少一个晶体管、所述第二数量的至少一个晶体管和所述第三数量的至少一个晶体管包括相同尺寸的晶体管。
4.根据权利要求2所述的装置,其中,所述第一数量的至少一个晶体管、所述第二数量的至少一个晶体管和所述第三数量的至少一个晶体管包括相同晶体管类型的晶体管。
5.根据权利要求3所述的装置,其中,所述第一数量的至少一个晶体管、所述第二数量的至少一个晶体管和所述第三数量的至少一个晶体管包括栅极耦合到非接地节点的晶体管。
6.根据权利要求2所述的装置,其中,所述第一数量的至少一个晶体管、所述第二数量的至少一个晶体管和所述第三数量的至少一个晶体管具有相同的有效电阻。
7.根据权利要求2所述的装置,其中,所述第一数量的至少一个晶体管包括单个晶体管,并且所述单个晶体管的电流密度大于所述第二数量的至少一个晶体管中的晶体管的电流密度和所述第三数量的至少一个晶体管中的晶体管的电流密度。
8.一种装置,包括:
位于电压调节器中的第一节点;
位于所述电压调节器中的第二节点;以及
所述电压调节器的功率级,所述功率级从所述第一节点接收第一电压并在所述第二节点处提供第二电压,所述功率级包括在所述第一节点和所述第二节点之间彼此并联耦合的第一电路路径和第二电路路径,所述第一电路路径包括在所述第一节点和所述第二节点之间串联耦合的第一数量的晶体管,所述第二电路路径包括在所述第一节点和所述第二节点之间串联耦合的第二数量的晶体管,其中所述第一数量不等于所述第二数量。
9.根据权利要求8所述的装置,其中,所述第一数量是奇数。
10.根据权利要求9所述的装置,其中,所述第二数量是偶数。
11.根据权利要求8所述的装置,其中,所述功率级包括单个晶体管,该单个晶体管耦合在所述第一节点和所述第二节点之间并且在所述第一节点和所述第二节点之间与所述第一数量的晶体管和所述第二数量的晶体管并联耦合。
12.根据权利要求8所述的装置,还包括:
第一开关,所述第一开关耦合在非接地节点和所述第一数量的晶体管中的晶体管的栅极之间;以及
第二开关,所述第二开关耦合在非接地节点和所述第二数量的晶体管中的晶体管的栅极之间。
13.根据权利要求12所述的装置,还包括控制节点,所述控制节点向所述第一开关和所述第二开关提供控制信息。
14.根据权利要求13所述的装置,其中,所述控制信息包括温度计位。
15.根据权利要求13所述的装置,其中,所述控制信息包括二进制位。
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