[发明专利]空白掩模、空白掩模成膜装置及空白掩模的制造方法

权利要求书

1.一种空白掩模，其特征在于，

包括：

透光基板，

遮光膜，设置在上述透光基板上，以及

相移膜，设置在上述透光基板和上述遮光膜之间；

上述空白掩模包括以上述遮光膜的中心为基准的中心测定区域和与上述遮光膜的边缘相距20mm的边缘测定区域；

上述中心测定区域和上述边缘测定区域分别为边长为20μm的正方形，

上述空白掩模具有在上述中心测定区域测定的中心Rz粗糙度，

上述空白掩模具有在上述边缘测定区域测定的边缘Rz粗糙度，

由下述第1-1式表示的Rz粗糙度不均匀度为20％以下：

第1-1式

Rz粗糙度不均匀度＝(中心Rz粗糙度与边缘Rz粗糙度之差的绝对值/中心Rz粗糙度)×100％。

2.根据权利要求1所述的空白掩模，其特征在于，

上述遮光膜的边缘由四个边构成，

上述边缘测定区域包括与上述四个边中的两个边相隔相同距离的四个边缘测定区域。

3.根据权利要求1所述的空白掩模，其特征在于，

上述空白掩模具有在上述中心测定区域测定的中心Rsk粗糙度，

上述空白掩模具有在上述边缘测定区域测定的边缘Rsk粗糙度，

由下述第1-2式表示的Rsk粗糙度差为0.5nm以下：

第1-2式

Rsk粗糙度差＝(中心Rsk粗糙度和边缘Rsk粗糙度之差的绝对值)。

4.根据权利要求1所述的空白掩模，其特征在于，

上述空白掩模具有在上述中心测定区域测定的中心Rku粗糙度，

上述空白掩模具有在上述边缘测定区域测定的边缘Rku粗糙度，

由下述第1-3式表示的Rku粗糙度不均匀度为40％以下：

第1-3式

Rku粗糙度不均匀度＝(中心Rku粗糙度与边缘Rku粗糙度之差的绝对值/中心Rku粗糙度)×100％。

5.根据权利要求1所述的空白掩模，其特征在于，

上述遮光膜具有在上述中心测定区域测定的中心厚度，且具有在上述边缘测定区域测定的边缘厚度，

由下述第1-4式表示的厚度不均匀度为2％以下：

第1-4式

厚度不均匀度＝(中心厚度与边缘厚度之差的绝对值/中心厚度)×100％。

6.根据权利要求1所述的空白掩模，其特征在于，

上述遮光膜具有在上述中心测定区域测定的中心光学密度，且具有在上述边缘测定区域测定的边缘光学密度，

由下述第1-5式表示的光学密度不均匀度为2.7％以下：

第1-5式

光学密度不均匀度＝(中心光学密度与边缘光学密度之差的绝对值/中心光学密度)×100％。

7.一种成膜装置，其特征在于，

包括：

腔室，

载物台，供上述腔室中的目标基板放置，

靶部，包括形成上述目标基板的原料靶，以及

辅助加热器，与上述载物台隔开设置，以加热上述目标基板；

上述成膜装置用于制造权利要求1所述的空白掩模。

8.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，

上述靶部被设置为通过DC溅射或RF溅射形成上述目标基板，

上述辅助加热器与上述载物台的侧面相距50mm以上且250mm以下的距离，

上述载物台和上述靶部能够进行旋转。

9.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，

上述辅助加热器被设置为通过热辐射加热上述载物台上的目标基板。

10.一种空白掩模的制造方法，其为使用权利要求7所述的成膜装置的方法，其特征在于，

在所述空白掩模的制造方法中使用的目标基板是透光基板，

上述空白掩模的制造方法，包括：

第一成膜步骤，在上述透光基板上形成相移膜，以及

第二成膜步骤，在上述相移膜上形成遮光膜；

在上述第一成膜步骤中，上述辅助加热器的功率为0.3kW以上且1.5kW以下，

在上述第二成膜步骤中，上述辅助加热器的功率为0.1kW以上且0.6kW以下。