[发明专利]空白掩模、空白掩模成膜装置及空白掩模的制造方法

说明书

本实施方式提供一种空白掩模和与其相关的成膜装置，上述空白掩模包括：透光基板，遮光膜，设置在上述透光基板上，以及相移膜，设置在上述透光基板和上述遮光膜之间；上述空白掩模包括：中心测定区域，以上述遮光膜的中心为基准，以及边缘测定区域与上述遮光膜的边缘相距20mm，上述中心测定区域和边缘测定区域分别为边长为20μm的正方形，上述空白掩模具有在上述中心测定区域测定的中心Rz粗糙度，上述空白掩模具有在上述边缘测定区域测定的边缘Rz粗糙度，由下述第1‑1式表示的Rz粗糙度不均匀度为20％以下：第1‑1式：Rz粗糙度不均匀度＝(中心Rz粗糙度与边缘Rz粗糙度之差的绝对值/中心Rz粗糙度)×100％。

技术领域

本实施方式涉及空白掩模、空白掩模成膜装置以及空白掩模的制造方法。

背景技术

由于半导体装置等的高集成化，需要半导体装置的电路图案的精细化。由此，进一步强调作为使用光掩模在晶圆表面上显影电路图案的技术的光刻技术的重要性。

为了显影精细化的电路图案，需要在曝光工艺中使用的曝光光源的短波长化。作为主要使用的曝光光源，有波长为193nm的氟化氩(ArF)准分子激光器等。

根据用途，空白掩模可以包括透光基板和形成在透光基板上的相移膜或遮光膜等。透光基板可以通过对具有透光性的材料进行形状加工，然后进行抛光过程和清洗过程等来制造。

随着晶圆上显影的电路图案微细化，需要使在四边形状的空白掩模的制造过程中可能出现的粗糙度、厚度、透射率、相位差、光学密度等不均匀性最小化，以防止颗粒产生和无意的图案转印。

上述的背景技术是发明人为导出本发明而拥有的技术信息或者在导出本发明的过程中掌握的技术信息，因此不能认为是在申请本发明之前向公众公开的公知技术。

作为相关的现有技术，有在韩国授权专利第10-1319659号中公开的“光掩模坯料、光掩模的制造方法及半导体器件的制造方法”等。

发明内容

技术问题

本实施方式的目的在于提供一种空白掩模及其制造装置等，其解决了在制造过程中可能出现的如粗糙度、厚度、透射率、相位差及光学密度等的不均匀性。

本实施方式的另一目的在于提供一种具备辅助加热器的成膜装置和通过该辅助加热器确保物理性能的均匀性的空白掩模。

解决问题的方案

为了实现上述目的，根据本实施方式的空白掩模包括：透光基板，遮光膜，设置在上述透光基板上，以及相移膜，设置在上述透光基板和上述遮光膜之间；上述空白掩模包括：中心测定区域，以上述遮光膜的中心为基准，以及边缘测定区域，与上述遮光膜的边缘相距20mm；上述中心测定区域和上述边缘测定区域分别为边长为20μm的正方形，上述空白掩模具有在上述中心测定区域测定的中心Rz粗糙度，上述空白掩模具有在上述边缘测定区域测定的边缘Rz粗糙度，由下述第1-1式表示的Rz粗糙度不均匀度可以为20％以下。

第1-1式

Rz粗糙度不均匀度＝(中心Rz粗糙度与边缘Rz粗糙度之差的绝对值/中心Rz粗糙度)×100％

在一实施方式中，上述遮光膜的边缘由四个边构成，上述边缘测定区域可以包括与上述四个边中的两个边相隔相同距离的四个边缘测定区域。

在一实施方式中，上述空白掩模具有在上述中心测定区域测定的中心Rsk粗糙度，上述空白掩模具有在上述边缘测定区域测定的边缘Rsk粗糙度，由下述第1-2式表示的Rsk粗糙度差可以为0.5nm以下。

第1-2式

Rsk粗糙度差＝(中心Rsk粗糙度和边缘Rsk粗糙度之差的绝对值)