[发明专利]一种降低晶圆翘曲的扇出封装结构及形成方法在审
申请号: | 202211473739.5 | 申请日: | 2022-11-22 |
公开(公告)号: | CN115799188A | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 杨帅;徐成;戴风伟;张春艳;樊嘉祺;张凯 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/29;H01L23/544;H01L21/56 |
代理公司: | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 张东梅 |
地址: | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降低 晶圆翘曲 封装 结构 形成 方法 | ||
1.一种降低晶圆翘曲的扇出封装结构,其特征在于,包括:
光刻胶,其上具有贴片开口;
芯片,其位于贴片开口中;以及
塑封层,其塑封芯片。
2.根据权利要求1所述的降低晶圆翘曲的扇出封装结构,其特征在于,所述光刻胶的厚度的取值范围为0.8h≦H≦1.2h,其中h为芯片的上表面至塑封层的上表面的距离。
3.根据权利要求1所述的降低晶圆翘曲的扇出封装结构,其特征在于,所述光刻胶上还具有标记图案,所述标记图案位于所述贴片开口周围。
4.根据权利要求2所述的降低晶圆翘曲的扇出封装结构,其特征在于,所述标记图案用于在贴装芯片时进行定位对准;以及
所述标记图案的形状包括十字形或三角形。
5.根据权利要求1所述的降低晶圆翘曲的扇出封装结构,其特征在于,所述贴片开口的尺寸大于所述芯片的尺寸,且芯片边缘与贴片开口边缘的间隙为50~100um;和/或
芯片带有管脚的正面靠近光刻胶,芯片的背面远离光刻胶。
6.一种降低晶圆翘曲的扇出封装结构的形成方法,其特征在于,包括:
在载片上涂覆键合胶;
在键合胶上涂覆光刻胶;
在光刻胶上的预设位置通过光刻技术形成贴片开口和标记图案;
通过贴片工艺将芯片倒装在贴片开口处,并且在贴装芯片时通过标记图形进行定位对准;
通过塑封工艺将芯片塑封形成塑封层;以及
去除载片和键合胶,得到降低晶圆翘曲的扇出封装结构。
7.根据权利要求6所述的降低晶圆翘曲的扇出封装结构的形成方法,其特征在于,所述光刻胶的厚度的取值范围为0.8h≦H≦1.2h,其中h为芯片的上表面至塑封层的上表面的距离。
8.根据权利要求6所述的降低晶圆翘曲的扇出封装结构的形成方法,其特征在于,所述贴片开口的尺寸大于所述芯片的尺寸,且芯片边缘与贴片开口边缘的间隙为50~100um。
9.根据权利要求6所述的降低晶圆翘曲的扇出封装结构的形成方法,其特征在于,所述标记图案的形状包括十字形或三角形。
10.根据权利要求6所述的降低晶圆翘曲的扇出封装结构的形成方法,其特征在于,在光刻胶上的预设位置进行曝光、显影形成贴片开口和位于贴片开口周围的标记图案。
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