[发明专利]一种用于背封硅片的设备和方法在审
申请号: | 202211479416.7 | 申请日: | 2022-11-24 |
公开(公告)号: | CN115527903A | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 徐鹏 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人: | 姚勇政;王渝 |
地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 硅片 设备 方法 | ||
1.一种用于背封硅片的设备,其特征在于,所述设备包括:
第一沉积模块,所述第一沉积模块用于在所述硅片的背面沉积具有第一致密性的第一硅氧化物层;
第二沉积模块,所述第二沉积模块用于在所述第一硅氧化物层上沉积具有第二致密性的第二硅氧化物层,其中,所述第二致密性高于所述第一致密性。
2.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述第一沉积模块包括第一供气单元,所述第一供气单元用于供应通过化学气相沉积形成所述第一硅氧化物层的第一组气体,所述第二沉积模块包括第二供气单元,所述第二供气单元用于供应通过化学气相沉积形成所述第二硅氧化物层的第二组气体,其中,所述第一组气体和所述第二组气体的组成成分相同,所述第一硅氧化物层和所述第二硅氧化物层的致密性的不同通过所述第一组气体和所述第二组气体的组成成分的比例不同实现。
3.根据权利要求2所述的设备,其特征在于,所述第一组气体和所述第二组气体都包括四氢化硅和氧气。
4.根据权利要求3所述的设备,其特征在于,所述第一组气体中的四氢化硅与氧气的体积比介于1:9至1:11之间,所述第二组气体中的四氢化硅与氧气的体积比介于1:6至1:7之间。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的设备,其特征在于,所述设备还包括传送带,所述传送带用于对所述硅片进行传送,在所述传送带的传送方向上所述第二供气单元设置在所述第一供气单元的下游。
6.根据权利要求5所述的设备,其特征在于,所述设备还包括喷头,所述喷头用于喷射保护性气体以形成将所述第一组气体和所述第二组气体分隔开的气帘。
7.根据权利要求5所述的设备,其特征在于,所述设备还包括多个托盘,所述多个托盘以沿着所述传送方向排列的方式搁置在所述传送带上以被所述传送带传送,每个托盘用于承载单个所述硅片。
8.根据权利要求5所述的设备,其特征在于,所述设备还包括间隔开的两个滚轮,所述传送带呈环状并且绕制在所述两个滚轮上以通过所述两个滚轮的转动实现运行。
9.根据权利要求5所述的设备,其特征在于,所述设备还包括用于对被所述传送带传送的所述硅片进行加热的加热器。
10.一种用于背封硅片的方法,其特征在于,所述方法包括:
在所述硅片的背面沉积具有第一致密性的第一硅氧化物层;
在所述第一硅氧化物层上沉积具有第二致密性的第二硅氧化物层,其中,所述第二致密性高于所述第一致密性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造