[发明专利]一种用于背封硅片的设备和方法

说明书

本发明实施例公开了一种用于背封硅片的设备和方法，所述设备包括：第一沉积模块，所述第一沉积模块用于在所述硅片的背面沉积具有第一致密性的第一硅氧化物层；第二沉积模块，所述第二沉积模块用于在所述第一硅氧化物层上沉积具有第二致密性的第二硅氧化物层，其中，所述第二致密性高于所述第一致密性。

技术领域

本发明涉及半导体硅片生产领域，尤其涉及一种用于背封硅片的设备和方法。

背景技术

在硅片的生产过程中，经常需要完成对硅片进行背封的操作，即在硅片的背面例如通过化学气相沉积的方式生长一层硅氧化物层。举例而言，作为集成电路产业的基础材料的外延硅片，特别是比如用于制造互补型金属氧化物半导体图像传感器的重掺外延片在外延生长过程中不可避免地会存在自掺杂现象，自掺杂现象会导致硅片电阻率漂移，从而严重影响外延硅片的品质，为了防止自掺杂现象的发生，通常会在外延生长之前首先对硅片进行背封，从而有效抑制自掺杂，减小对电阻率的影响，改善外延硅片的品质。

但是，在硅片的背封完成后，在进入后续处理之前，通常会利用比如酸性或碱性的腐蚀性清洗液对硅片进行清洗，以使后续处理能够更为顺利地完成。举例而言，已背封的硅片的正面通常需要进行化学机械抛光，然后才适于在外延设备中完成外延生长，而在化学机械抛光之前，会有对硅片进行清洗以去除硅片表面污染颗粒的需求，这样才能避免在化学机械抛光过程中污染颗粒将硅片划伤。

由此产生的问题是，在对硅片进行清洗的过程中，背封膜或者说硅氧化物层也有可能例如在酸性清洗液的作用下被部分地清洗掉，或者说产生减薄，导致背封膜不再能够满足后续处理要求，比如不再能够对自掺杂现象的出现产生抑制作用或抑制作用被降低。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例期望提供一种用于背封硅片的设备和方法，使得已背封的硅片在经历清洗作业的情况下，背封膜被清洗掉的程度或者说减薄的程度得到最小化，由此最大程度地满足后续处理要求。

本发明的技术方案是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供了一种用于背封硅片的设备，所述设备包括：

第一沉积模块，所述第一沉积模块用于在所述硅片的背面沉积具有第一致密性的第一硅氧化物层；

第二沉积模块，所述第二沉积模块用于在所述第一硅氧化物层上沉积具有第二致密性的第二硅氧化物层，其中，所述第二致密性高于所述第一致密性。

第二方面，本发明实施例提供了一种用于背封硅片的方法，所述方法包括：

在所述硅片的背面沉积具有第一致密性的第一硅氧化物层；

在所述第一硅氧化物层上沉积具有第二致密性的第二硅氧化物层，其中，所述第二致密性高于所述第一致密性。

本发明实施例提供了一种用于背封硅片的设备和方法，已背封的硅片即使在进入后续处理之前经历腐蚀性清洗液的清洗，但由于整个背封膜中直接与清洗液接触的部分为位于最表层的致密性较高的第二硅氧化物层，而这样的硅氧化物层是不容易被清洗掉的，因此尽管背封膜也会发生减薄，但减薄的量是较小的，使得整个背封膜能够更大程度地满足后续处理的要求，另一方面，对于完成外延生长的硅片或者说已外延硅片而言，需要将整个背封膜都去除后才能够在后续工艺中使用，比如利用刻蚀的方法将背封膜去除，因此，与将整个背封膜的致密性增大相比，由于第一硅氧化物层的致密性是较低的，因此这样的去除是更容易实现的。

附图说明

图1为根据本发明的实施例的用于背封硅片的设备的结构示意图；

图2为根据本发明的另一实施例的用于背封硅片的设备的结构示意图；

图3为根据本发明的另一实施例的用于背封硅片的设备的结构示意图；

图4为根据本发明的实施例的用于背封硅片的方法的示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。