[发明专利]空腔封装结构及封装方法在审
申请号: | 202211479667.5 | 申请日: | 2022-11-24 |
公开(公告)号: | CN115527956A | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 李智杰;刘庭;张月升;濮虎 | 申请(专利权)人: | 江苏长电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/10;H01L23/495;H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 沈晓敏 |
地址: | 214430 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 空腔 封装 结构 方法 | ||
本发明提供一种空腔封装结构及封装方法,所述空腔封装结构包括:封装框架,所述封装框架包括基岛和位于所述基岛外围的引脚区,所述引脚区上设有第一连接部;上盖,所述上盖朝向所述封装框架的一侧包括第二连接部,所述第二连接部和所述第一连接部之间形成有空隙;固定胶,所述固定胶填充于所述空隙中使得所述封装框架和所述上盖之间具有一密闭空腔;其中,所述第一连接部和所述第二连接部的其中之一包括第一突部和从所述第一突部上伸出的至少一个第二突部。固定胶填充于第一连接部和第二连接部之间用于增加上盖和封装框架之间的结合强度,延长水汽入侵路径,提升密闭空腔的气密性。
技术领域
本发明属于半导体封装技术领域,特别关于一种空腔封装结构及封装方法。
背景技术
空腔类封装结构产品有较好射频性能,更低的介电常数,在RF芯片(射频芯片),微波芯片及毫米波芯片上有良好的应用。因考虑满足大功率射频芯片的高射频性能需要,通常采用预塑封形成扁平的封装框架,例如QFN(Quad Flat No-lead Package,方形扁平无引脚封装),再在扁平的封装框架上粘附上盖来形成密闭空腔。
如图1所示,扁平预包封框架1与腔体式上盖2经粘胶3来固定连接,并在扁平预包封框架1与腔体式上盖2形成密闭空腔4。其中,预包封框架1是指在封装前,以预包封料对基岛和外围引脚进行预包封形成的扁平封装框架。连接腔体式上盖2之前,还包括在扁平预包封框架1的基岛上贴装芯片5和将芯片5和扁平预包封框架1的外围引脚通过金属线6打线连接。
由于上盖2和封装框架1之间仅通过粘胶3固定连接,极易因为粘胶3的固化效果、上盖2和封装框1的装配精度等因素导致密闭空腔4的气密性不足,外界水汽入侵密闭空腔4,导致产品性能和使用寿命下降。
有鉴于此,需要对空腔封装结构进行重新设计,克服现有的空腔类封装结构中上盖和封装框架之间的密闭空腔的气密性不足的问题。
发明内容
本发明解决的问题是如何改善现有的空腔类封装结构中上盖和封装框架之间的密闭空腔的气密性不足的问题。
为解决上述问题,本发明的技术方案提供了一种空腔封装结构,所述空腔封装结构包括:封装框架,所述封装框架包括基岛和位于所述基岛外围的引脚区,所述引脚区上设有第一连接部;上盖,所述上盖朝向所述封装框架的一侧包括第二连接部,所述第二连接部和所述第一连接部之间具有空隙;固定胶,所述固定胶填充于所述空隙中使得所述封装框架和所述上盖之间具有一密闭空腔;其中,所述第一连接部和所述第二连接部的其中之一包括第一突部和从所述第一突部上伸出的至少一个第二突部。
作为可选的技术方案,所述第一连接部和所述第二连接部的其中之另一为插槽,所述第一突部和所述至少一个第二突部均收纳于所述插槽中;其中,所述空隙位于所述插槽的槽壁和所述第一突部的表面以及所述第二突部的表面之间。
作为可选的技术方案,所述第一突部和所述至少一个第二突部为设置于所述引脚区上方的金属突起;所述上盖包括朝向所述封装框架延伸的侧壁,所述侧壁的端面上设有所述插槽。
作为可选的技术方案,所述第一突部为围绕所述基岛的环形凸起;所述插槽为围绕所述基岛的环形槽。
作为可选的技术方案,每一第二突部和所述第一突部呈夹角设置,所述夹角为0-180°之间。
作为可选的技术方案,所述至少一个第二突部的数量为两个及以上,所述第一突部靠近所述密闭空腔一侧的表面和远离所述密闭空腔一侧的表面均布置有所述第二突部。
作为可选的技术方案,两个及以上的所述第二突部和所述第一突部构成鱼骨状。
作为可选的技术方案,所述基岛设置芯片或元器件,所述引脚区的引脚和所述芯片或元器件电性连接;其中,所述芯片或所述元器件位于所述密闭空腔中。
本发明还提供一种封装方法,其包括:
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