[发明专利]一种半导体晶片的CMP装置和方法

权利要求书

1.一种半导体晶片的CMP的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：将半导体晶片置于晶片载体上，通过摄像设备获取半导体晶片的照片，获取到半导体晶片的面积Sb；以及获取到半导体晶片上的凸点的信息，凸点的信息包括凸点的位置以及数量，分别标记为Wh和SI；

步骤2：当得到半导体晶片CNP信号时，启动抛光模块对半导体晶片进行抛光处理，并对半导体晶片的抛光工艺进行实时监测；

步骤3：当得到CMP正常信号时，保证其抛光设备正常工作，当得到CMP不正常信号时，对抛光设备进行工艺参数调整。

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶片的CMP方法，其特征在于，步骤1具体的工作过程如下：

S11、获取到半导体晶片的面积Sb、凸点的位置Wh和凸点的数量SI；

S12、通过公式计算得到该半导体晶片的样品数据Jb；

S13、将得到样品数据Jb与样品数据阈值进行比较。

3.根据权利要求2所述的一种半导体晶片的CMP方法，其特征在于，若样品数据Jb大于样品数据阈值时，则生成半导体晶片CNP信号并发送至处理单元后，进行机械抛光处理。

4.根据权利要求3所述的一种半导体晶片的CMP方法，其特征在于，若样品数据Jb小于样品数据阈值时，生成半导体晶片不需要CNP信号。

5.根据权利要求1所述的一种半导体晶片的CMP方法，其特征在于，半导体晶片抛光处理的具体过程如下：

S21.半导体晶片进行酸洗、水洗后干燥处理；

S22.对半导体晶片进行双面抛光处理。

6.根据权利要求5所述的一种半导体晶片的CMP方法，其特征在于，该监测具体工作过程如下：

S221、将得到的晶片载体上的实时温度值和实时湿度值代入到以绘制对应的最大值曲线和最小值曲线的坐标系中；

将实时温度值曲线与温度最大值曲线和温度最小值曲线进行重合比对，并在线剪切位于非重合图形，将得到非重合图形的面积为S1和S2；

利用公式中，计算得到晶片载体系数Xz；

S222、同时，采集抛光设备的研磨头的压力以及转速，并分别标记为Py和Vy；以及研磨液的流量并标记为Ly；采集研磨头的压力对应的浮动频率Ppy，研磨头的转速对应的浮动频率Pvy，以及研磨液的流量对应的浮动频率Ply；

通过公式计算得到半导体晶片的抛光工艺系数Xp；

S223、将晶片载体系数Xz和抛光工艺系数Xp，代入到公式中计算得到半导体的实时的CMP系数；

S224、将半导体的实时的CMP系数Xp与半导体的实时的CMP系数阈值进行比较。

7.根据权利要求6所述的一种半导体晶片的CMP方法，其特征在于，若半导体的实时的CMP系数Xp大于半导体的实时的CMP系数阈值，生成CMP正常信号。

8.根据权利要求7所述的一种半导体晶片的CMP方法，其特征在于，若半导体的实时的CMP系数Xp小于半导体的实时的CMP系数阈值，生成CMP不正常信号。

9.根据权利要求8所述的一种半导体晶片的CMP方法，其特征在于，当得到CMP不正常信号时，其具体工作过程如下：

S31、获取到半导体晶片抛光后的实时厚度值，通过预设曲线的坐标系中，而得到实时的抛光工艺参数Cp；

S32、将得到实时的抛光工艺参数Cp，代入到公式中，分别对应计算得到抛光设备的研磨头的压力Py以及转速Vy，以及研磨液的流量Ly；

S33、将得到的研磨头的压力Py以及转速Vy，以及研磨液的流量Ly分别发送至对应的抛光设备的控制器和输送研磨液的控制阀。

10.一种半导体晶片的CMP装置，其特征在于，包括采集模块、抛光模块和调整模块；

采集模块、获取到半导体晶片的面积；以及获取到半导体晶片上的凸点的信息；

抛光模块、当得到半导体晶片CNP信号时，启动抛光模块对半导体晶片进行抛光处理，并对半导体晶片的抛光工艺进行实时监测；

调整模块、当得到CMP正常信号时，抛光设备正常工作，当得到CMP不正常信号时，对抛光设备进行工艺参数调整。