[发明专利]一种半导体晶片的CMP装置和方法

说明书

本发明公开了一种半导体晶片的CMP的方法，包括以下步骤：通过摄像设备获取半导体晶片的照片，获取到半导体晶片的面积Sb；以及获取到半导体晶片上的凸点的信息；当得到半导体晶片CNP信号时，启动抛光模块对半导体晶片进行抛光处理，并对半导体晶片的抛光工艺进行实时监测；当得到CMP正常信号时，保证其抛光设备正常工作，当得到CMP不正常信号时，对抛光设备进行工艺参数调整，本发明避免对不合格半导体晶片进行抛光处理，影响生产半导体晶片机械抛光的效率，以及在抛光时，处于合理的工艺范围内。

技术领域

本发明涉及半导体晶片技术领域，具体涉及一种半导体晶片的CMP装置和方法。

背景技术

中国专利CN 110193775 A公开了一种化学机械抛光方法及化学机械抛光装置，充分考虑了化学机械抛光装置上的晶片载体随着长时间使用而导致的厚度变化对半导体晶片的抛光效果的影响，在设定用于半导体晶片抛光的工艺参数之前，先测量晶片载体的厚度，并计算出测得的晶片载体的厚度与待抛光的半导体晶片在完成抛光后的目标厚度之间的差值，然后根据该差值设定用于半导体晶片抛光的工艺参数；

现有技术中，在对半导体晶片进行CMP处理时，通常是直接将上游工艺得到的晶片直接拿取过来进行抛光处理，而其处理方式存在着对不合格的晶片进行抛光处理，导致设备加工时间和效能的浪费；以及在抛光时，抛光设备的压力、转速、研磨液等参数是预先设置的，且在工作时也是固定不变的，从而导致半导体晶片在抛光时，产品合格率不高的问题。

发明内容

本发明的目的就在于解决现有抛光设备对不合格的晶片也进行抛光处理的问题，而提出一种半导体晶片的CMP装置和方法。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种半导体晶片的CMP的方法，包括以下步骤：

步骤1：将半导体晶片置于晶片载体上，通过摄像设备获取半导体晶片的照片，获取到半导体晶片的面积Sb；以及获取到半导体晶片上的凸点的信息，凸点的信息包括凸点的位置以及数量，分别标记为Wh和Sl；

步骤2：获取到半导体晶片CNP信号和半导体晶片不需要CNP信号，当得到半导体晶片CNP信号时，启动抛光模块对半导体晶片进行抛光处理，并对半导体晶片的抛光工艺进行实时监测；

步骤3：当在对半导体晶片的抛光工艺进行实时监测，并生成CMP正常信号、CMP不正常信号时，将对半导体的抛光工艺参数进行调整；当得到CMP正常信号时，保证其抛光设备正常工作，当得到CMP不正常信号时，对抛光设备进行工艺参数调整。

作为本发明进一步的方案：步骤1具体的工作过程如下：

S11、获取到半导体晶片的面积Sb、凸点的位置Wh和凸点的数量Sl；

S12、通过公式计算得到该半导体晶片的样品数据Jb；

S13、将得到的半导体晶片的样品数据Jb与半导体晶片的样品数据阈值进行比较。

作为本发明进一步的方案：若半导体晶片的样品数据Jb大于半导体晶片的样品数据阈值时，则判定当前半导体晶片需要进行机械抛光处理，生成半导体晶片CNP信号并将半导体晶片CNP信号并发送至处理单元，处理单元接收到半导体晶片CNP信号后，将其进行机械抛光处理。

作为本发明进一步的方案：若半导体晶片的样品数据Jb大于半导体晶片的样品数据阈值时，则判定该半导体晶片不合格，表面该半导体晶片为生产得到的半导体晶片的残次品，不需要进行抛光处理，并生成半导体晶片不需要CNP信号。

作为本发明进一步的方案：半导体晶片抛光处理的具体过程如下：

S21.HCl溶液对半导体晶片进行喷淋，再利用去离子水对半导体晶片进行冲洗，冲洗后干燥处理；