[发明专利]每存储器单元具有斜对栅极对的存储器装置

权利要求书

1.一种集成组合件，其包括：

支柱，其包含上源极/漏极、中间源极/漏极、下源极/漏极、所述上源极/漏极与所述中间源极/漏极之间的上沟道、所述中间源极/漏极与所述下源极/漏极之间的下沟道、面向第一方向的向左垂直表面及面向与所述第一方向相反的第二方向的向右垂直表面；

第一栅极，其接近所述上沟道，其中所述向左垂直表面面向所述第一栅极；

第二栅极，其接近所述下沟道，其中所述向左垂直表面面向所述第二栅极；

第三栅极，其接近所述上沟道，其中所述向右垂直表面面向所述第三栅极；

第四栅极，其接近所述下沟道，其中所述向右垂直表面面向所述第四栅极；

电接触区，其与所述上源极/漏极电耦合；及

数字线，其在所述支柱下方且与所述下源极/漏极电耦合。

2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第二栅极与所述第三栅极电耦合。

3.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述第二栅极不与所述第一栅极或所述第四栅极中的任一者电耦合，且

所述第三栅极不与所述第一栅极或所述第四栅极中的任一者电耦合。

4.根据权利要求1所述的集成组合件，其进一步包括经由所述电接触区与所述上源极/漏极电耦合的电容器。

5.根据权利要求4所述的集成组合件，其中第一晶体管包括所述第二栅极、所述下源极/漏极及所述中间源极/漏极，

第二晶体管包括所述第三栅极、所述上源极/漏极及所述中间源极/漏极，且所述第一晶体管及所述第二晶体管选择性耦合所述电容器及所述数字线。

6.根据权利要求5所述的集成组合件，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管及所述电容器是存储器阵列的多个基本上相同存储器单元中的存储器单元的部分，

所述第二栅极及所述第三栅极形成所述多个基本上相同存储器单元的多个基本上相同斜对栅极对中的斜对栅极对，

所述数字线是跨所述存储器阵列延伸的多个基本上相同数字线中的一者，且所述多个基本上相同存储器单元中的每一者由所述多个基本上相同斜对栅极对中的一者与所述多个基本上相同数字线中的一者的组合唯一地寻址。

7.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述支柱是第一支柱，所述上源极/漏极是第一上源极/漏极，所述中间源极/漏极是第一中间源极/漏极，所述下源极/漏极是第一下源极/漏极，所述上沟道是第一上沟道，所述下沟道是第一下沟道，所述向左垂直表面是第一向左垂直表面，且所述向右垂直表面是第一向右垂直表面；且

所述集成组合件进一步包括：

第二支柱，其包含第二上源极/漏极、第二中间源极/漏极、第二下源极/漏极、所述第二上源极/漏极与所述第二中间源极/漏极之间的第二上沟道、所述第二中间源极/漏极与所述第二下源极/漏极之间的第二下沟道、面向所述第一方向的第二向左垂直表面及面向所述第一支柱的所述第一向左垂直表面的第二向右垂直表面，

其中所述第一栅极接近所述第二支柱的所述第二上沟道且在所述第一支柱与所述第二支柱之间的区中，且

其中所述第二栅极接近所述第二支柱的所述第二下沟道且在所述第一支柱与所述第二支柱之间的所述区中。

8.根据权利要求7所述的集成组合件，其进一步包括：

第三支柱，其包含第三上源极/漏极、第三中间源极/漏极、第三下源极/漏极、所述第三上源极/漏极与所述第三中间源极/漏极之间的第三上沟道、所述第三中间源极/漏极与所述第三下源极/漏极之间的第三下沟道、面向所述第二方向的第三向右垂直表面及面向所述第一支柱的所述第一向右垂直表面的第三向左垂直表面，

其中所述第三栅极接近所述第三支柱的所述第三上沟道且在所述第一支柱与所述第三支柱之间的区中，且

其中所述第四栅极接近所述第三支柱的所述第三下沟道且在所述第一支柱与所述第三支柱之间的所述区中。