[发明专利]每存储器单元具有斜对栅极对的存储器装置

说明书

本公开涉及每存储器单元具有斜对栅极对的存储器装置。本文中描述的实施方案涉及各种结构、集成组合件及存储器装置。在一些实施方案中，一种集成组合件包含支柱，其具有上源极/漏极、中间源极/漏极、下源极/漏极、所述上源极/漏极与所述中间源极/漏极之间的上沟道及所述中间源极/漏极与所述下源极/漏极之间的下沟道。所述集成组合件包含包括第一栅极及第二栅极的栅极对。所述第一栅极定位于所述支柱的第一侧上的第一高度处，且所述第二栅极定位于与所述第一侧相对的所述支柱的第二侧上的不同于所述第一高度的第二高度处。所述集成组合件包含与所述上源极/漏极电耦合的电容器。一些实施方案包含形成所述各种结构、集成组合件及存储器装置的方法。

技术领域

本公开大体上涉及半导体装置及形成半导体装置的方法，且举例来说，涉及一种每存储器单元具有斜对栅极对的存储器装置及一种形成所述存储器装置的方法。

背景技术

存储器装置包含存储器单元。存储器单元是能够设置为两个或更多个数据状态中的数据状态的电子电路。举例来说，存储器单元可被设置为表示单个二进制值(1或0)的数据状态。作为另一实例，存储器单元可经设置为表示小数值(例如0.5、1.5或类似物)的数据状态。在动态随机存取存储器(DRAM)存储器单元中，值使用电容器来存储，电容器是可存储电荷的电子组件。充电电容器可表示第一数据状态(及对应第一值，例如1)，且放电电容器可表示第二数据状态(及对应第二值，例如0)。在一些情况中，多于两个数据状态可使用电容器的各种电荷电平来存储。DRAM存储器单元中的晶体管包含在任何给定时间阻止电流来回流动于电容器或允许电流来回流动于电容器的栅极。值可通过允许电流来回流动于电容器来写入到电容器或从电容器读取。值可通过对电容器充电(以表示第一数据状态，例如二进制1)或使电容器放电(以表示第二数据状态，例如二进制0)且阻止电流来回流动于电容器来存储于电容器中(例如，供稍后读取)。

发明内容

根据本公开的一方面，提供一种集成组合件。所述集成组合件包括：支柱，其包含上源极/漏极、中间源极/漏极、下源极/漏极、所述上源极/漏极与所述中间源极/漏极之间的上沟道、所述中间源极/漏极与所述下源极/漏极之间的下沟道、面向第一方向的向左垂直表面及面向与所述第一方向相反的第二方向的向右垂直表面；第一栅极，其接近所述上沟道，其中所述向左垂直表面面向所述第一栅极；第二栅极，其接近所述下沟道，其中所述向左垂直表面面向所述第二栅极；第三栅极，其接近所述上沟道，其中所述向右垂直表面面向所述第三栅极；第四栅极，其接近所述下沟道，其中所述向右垂直表面面向所述第四栅极；电接触区，其与所述上源极/漏极电耦合；及数字线，其在所述支柱下方且与所述下源极/漏极电耦合。

根据本公开的另一方面，提供一种集成组合件。所述集成组合件包括：存储器单元，其包含：支柱，其包含上源极/漏极、中间源极/漏极、下源极/漏极、所述上源极/漏极与所述中间源极/漏极之间的上沟道、所述中间源极/漏极与所述下源极/漏极之间的下沟道、面向第一方向的向左垂直表面及面向与所述第一方向相反的第二方向的向右垂直表面；上栅极，其接近所述上沟道，其中所述向右垂直表面面向所述上栅极；下栅极，其接近所述下沟道，其中所述向左垂直表面面向所述下栅极；及电容器，其与所述上源极/漏极电耦合；及数字线，其与所述上栅极及所述下栅极的组合能够唯一地寻址所述存储器单元，其中所述数字线在所述支柱下方且与所述下源极/漏极电耦合。

根据本公开的又一方面，提供一种存储器装置。所述存储器装置包括：多个存储器单元，其各自包含：支柱，其包括上源极/漏极、中间源极/漏极、下源极/漏极、所述上源极/漏极与所述中间源极/漏极之间的上沟道及所述中间源极/漏极与所述下源极/漏极之间的下沟道；及栅极对，其包含第一栅极及第二栅极，其中所述第一栅极定位于所述支柱的第一侧上的第一高度处，且其中所述第二栅极定位于与所述第一侧相对的所述支柱的第二侧上的不同于所述第一高度的第二高度处；及电容器，其与所述上源极/漏极电耦合。