[发明专利]包括侧照明单元的检查系统和使用检查系统的检查方法在审
申请号: | 202211496263.7 | 申请日: | 2022-11-23 |
公开(公告)号: | CN116243556A | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | 崔正勋;郑胤松;刘相用 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G03F1/84 | 分类号: | G03F1/84;F21V19/00;G03B15/03 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张霞;周祺 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 照明 单元 检查 系统 使用 方法 | ||
检查系统包括台单元,被配置为在所述台单元上加载空白掩模。提供了侧照明单元,被设置为面对空白掩模的侧表面,并且包括多个LED。提供了与空白掩模邻近的相机。从侧照明单元朝向空白掩模的侧表面照射的检查光束基本上平行于空白掩模的上表面。
相关申请的交叉引用
本专利申请要求于2021年12月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0174618的优先权,其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开的示例实施例涉及包括侧照明单元的空白掩模检查系统和使用该空白掩模检查系统的空白掩模检查方法。
背景技术
在半导体器件制造过程中使用各种掩模。掩模通常使用空白掩模形成,因此空白掩模的缺陷可能导致半导体器件制造过程中的各种问题。需要用于快速检测和准确检查空白掩模的缺陷的技术。
发明内容
本公开的示例实施例提供了能够快速准确地检查空白掩模的缺陷的检查系统和检查方法。
根据本公开的示例实施例的检查系统包括:台单元,被配置为在台单元上加载空白掩模;侧照明单元,被配置为面对空白掩模的侧表面,并且包括多个LED;以及相机,与空白掩模邻近。
根据本公开的示例实施例的检查方法包括:在台单元上加载空白掩模;将来自侧照明单元的检查光束照射到空白掩模上;以及使用相机来检测空白掩模的图像。
根据本公开的示例实施例的检查系统包括:台单元,被配置为在台单元上加载空白掩模;照明单元,与空白掩模邻近并且包括多个LED;相机,与空白掩模邻近;以及图像处理单元,连接到所述相机。照明单元包括:侧照明单元,被配置为朝向空白掩模的侧表面照射检查光束,该检查光束相对于空白掩模的上表面形成0至10度之间的角度;倾斜照明单元,被配置为朝向空白掩模的上表面照射检查光束,该检查光束相对于空白掩模的上表面形成15至85度之间的角度;以及竖直照明单元,被配置为朝向空白掩模的上表面照射检查光束,该检查光束相对于空白掩模的上表面形成85至90度之间的角度。
附图说明
图1是说明根据本公开的一些示例实施例的检查系统的示意图。
图2是说明根据本公开的一些示例实施例的检查系统的框图。
图3至图8是说明根据本公开的一些示例实施例的检查系统的侧照明单元的布局。
图9至图11是说明根据本公开的一些示例实施例的空白掩模的截面图。
图12至图14是说明根据本公开的一些示例实施例的检查系统的示意图。
图15至图19是说明根据本公开的一些示例实施例的使用检查系统的检查方法的示意图。
具体实施方式
下面将参考附图更全面地描述各种示例实施例,在附图中示出了一些示例实施例。在附图中,相同的附图标记始终表示相同的元素。可以省略重复的描述。
元素和/或其属性(例如,结构、表面、方向等)例如与其他元素和/或其属性平行,这将被理解为与其他元素和/或其属性在制造容差和/或材料容差内基本上平行,和/或相对于其他元素和/或其属性偏离“平行”等的幅度和/或角度上的偏差等于或小于10%(例如,±10%的容差)。类似地,可以被称为相对于其他元素及/或其属性(例如,结构、表面、方向等)“垂直”、“平行”、“共面”等的元素和/或其属性(例如,结构、表面、方向等)可以是相对于其他元素及/或其属性分别为“垂直的”、“平行的”、“共面的”等,和/或可以是“基本上垂直的”、“基本上平行的”、“基本上共面的”。
图1是说明根据本公开的一些示例实施例的检查系统100的示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211496263.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:实现功率循环的开关调制器
- 下一篇:用于将电池组部件并联连接的汇流条配置
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备