[发明专利]插入结构和包括该插入结构的半导体封装

权利要求书

1.一种插入结构，包括：

插入基板；

层间绝缘层，在所述插入基板的上表面上；

电容器结构，在所述层间绝缘层内；

第一通路，在垂直方向上穿透所述层间绝缘层，所述第一通路连接到所述电容器结构；

绝缘层，在所述层间绝缘层上；

第二通路，在所述垂直方向上穿透所述绝缘层，所述第二通路连接到所述第一通路；以及

贯穿通路，在所述垂直方向上完全穿透所述插入基板、所述层间绝缘层和所述绝缘层中的每个，所述贯穿通路的上表面与所述第二通路的上表面共面。

2.根据权利要求1所述的插入结构，其中所述绝缘层沿着所述贯穿通路的侧壁延伸到所述插入基板的下表面。

3.根据权利要求1所述的插入结构，还包括：

连接图案，与所述电容器结构接触，所述连接图案在所述插入基板的所述上表面和所述电容器结构之间；

第三通路，在所述垂直方向上穿透所述层间绝缘层，所述第三通路与所述电容器结构的侧壁相邻并且连接到所述连接图案；以及

第四通路，在所述垂直方向上穿透所述绝缘层，所述第四通路连接到所述第三通路。

4.根据权利要求3所述的插入结构，其中所述第二通路的所述上表面与所述第四通路的上表面共面。

5.根据权利要求1所述的插入结构，还包括：

第一布线图案，在所述插入基板的下表面上；以及

在所述绝缘层上的再分布层，所述再分布层包括第二布线图案，所述贯穿通路与所述第一布线图案和所述第二布线图案中的每个接触。

6.根据权利要求1所述的插入结构，其中所述第一通路的所述上表面在水平方向上的宽度不同于所述第二通路的下表面在所述水平方向上的宽度。

7.根据权利要求1所述的插入结构，其中所述第二通路和所述贯穿通路包括相同的材料。

8.根据权利要求1所述的插入结构，其中所述第一通路和所述第二通路包括彼此不同的材料。

9.根据权利要求1所述的插入结构，还包括在所述层间绝缘层的上表面和所述绝缘层之间的蚀刻停止层。

10.根据权利要求1所述的插入结构，其中所述电容器结构包括：

下电极，沿着电容器沟槽的侧壁和底表面，所述电容器沟槽在所述层间绝缘层内；

电容器电介质层，在所述电容器沟槽内的所述下电极上；以及

上电极，在所述电容器沟槽内的所述电容器电介质层上以及在所述电容器沟槽之上。

11.根据权利要求1所述的插入结构，其中所述电容器结构包括：

下电极，包括第一部分和从所述第一部分朝向所述层间绝缘层的上表面突出的第二部分；

电容器电介质层，完全围绕所述下电极的所述第二部分的表面；以及

上电极，在所述电容器电介质层上。