[发明专利]插入结构和包括该插入结构的半导体封装

说明书

提供了一种插入结构和包括其的半导体封装，该插入结构包括：插入基板；在插入基板的上表面上的层间绝缘层；在层间绝缘层内的电容器结构；在垂直方向上穿透层间绝缘层的第一通路，第一通路连接到电容器结构；在层间绝缘层上的绝缘层；在垂直方向上穿透绝缘层的第二通路，第二通路连接到第一通路；以及贯穿通路，在垂直方向上完全穿透插入基板、层间绝缘层和绝缘层中的每个，贯穿通路的上表面与第二通路的上表面共面。

技术领域

本公开涉及一种插入结构和包括该插入结构的半导体封装。

背景技术

由于半导体电路的集成和小型化，高性能芯片的信号和电源完整性已经越来越重要。因此，对用于互连多个芯片(例如系统芯片(SOC)和高带宽存储器(HBM)芯片)的硅插入器(silicon interposer)的需求日益增加。此外，插入式电容器(interposer capacitor)也在开发中。

发明内容

根据本公开的一些实施方式，提供一种半导体封装，该半导体封装包括：插入基板；层间绝缘层，设置在插入基板的上表面上；电容器结构，设置在层间绝缘层内；第一通路，在垂直方向上穿透层间绝缘层并且连接到电容器结构；绝缘层，设置在层间绝缘层上；第二通路，在垂直方向上穿透绝缘层并且连接到第一通路；以及贯穿通路，在垂直方向上完全穿透插入基板、层间绝缘层和绝缘层中的每个，其中第二通路的上表面形成在与贯穿通路的上表面相同的平面上。

根据本公开的一些实施方式，提供一种半导体封装，该半导体封装包括：插入基板；第一蚀刻停止层，设置在插入基板的上表面上；第一层间绝缘层，设置在第一蚀刻停止层上；第二蚀刻停止层，设置在第一层间绝缘层上；第二层间绝缘层，设置在第二蚀刻停止层上；电容器结构，设置在第一层间绝缘层和第二层间绝缘层内；第三蚀刻停止层，设置在第二层间绝缘层上；第一通路，在垂直方向上穿透第二层间绝缘层和第二蚀刻停止层中的每个并且连接到电容器结构；绝缘层，设置在第三蚀刻停止层上；第二通路，在垂直方向上穿透绝缘层和第三蚀刻停止层中的每个并且连接到第一通路；以及贯穿通路，在垂直方向上完全穿透插入基板、第一至第三蚀刻停止层、第一和第二层间绝缘层以及绝缘层中的每个，其中绝缘层沿着贯穿通路的侧壁延伸到插入基板的下表面。

根据本公开的一些实施方式，提供一种半导体封装，该半导体封装包括：封装基板；插入基板，设置在封装基板上；层间绝缘层，设置在插入基板的上表面上；电容器结构，设置在层间绝缘层内；第一通路，在垂直方向上穿透层间绝缘层并且连接到电容器结构；绝缘层，设置在层间绝缘层上；第二通路，在垂直方向上穿透绝缘层并且连接到第一通路；第一布线图案，设置在插入基板的下表面上；再分布层，设置在绝缘层上并包括第二布线图案；贯穿通路，在垂直方向上完全穿透插入基板、层间绝缘层和绝缘层中的每个并与第一布线图案和第二布线图案中的每个接触；第一半导体芯片，设置在再分布层的上表面上；以及第二半导体芯片，设置在再分布层的上表面上，在水平方向上与第一半导体芯片间隔开，并通过再分布层电连接到第一半导体芯片，其中第二通路的上表面形成在与贯穿通路的上表面相同的平面上。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施方式，特征将对于本领域技术人员变得明显，附图中：

图1是根据本公开的一些实施方式的插入结构(interposer structure)的图；

图2是图1的区域R的放大图；

图3至图13是根据本公开的一些实施方式的用于制造插入结构的方法中的阶段的中间阶段图；

图14是根据本公开的一些其它的实施方式的插入结构的图；

图15是根据本公开的一些其它的实施方式的插入结构的图；

图16是根据本公开的另一些其它的实施方式的插入结构的图；以及

图17是根据本公开的一些实施方式的包括插入结构的半导体封装的图。

具体实施方式