[发明专利]一种三相桥电路的陶瓷封装工艺

权利要求书

1.一种三相桥电路的陶瓷封装工艺，其特征在于：包括以下步骤：

S1.陶瓷基板与外壳成型：

使用包含氧化铝和氧化铍的无机材料以及有机材料烧结成陶瓷基板；

将陶瓷生片在氮氢混合气中进行烧结，烧结后制成外壳；

S2、管座上涂胶与贴片：使用点胶机点胶，将芯片贴在基板上，并在指定温度的环境下固化0.5-1.5h；

S3.等离子清洗：通过等离子清洗机对固化后的管座进行清洗；

S4、引线键合：安装引线和劈刀，设置参数后通过引线键合机进行键合；

S5、盖板封接、将管座与盖板放入缝焊设备中，对缝焊设备进行无氧处理，盖上盖板启动机器进行缝焊；

S6、检漏：将样品放入氟油中，进行漏气检验；

S7、环境测试：将样品放入相应的试验箱中按照设定试验程序执行。

2.根据权利要求1所述的一种三相桥电路的陶瓷封装工艺，其特征在于：所述S1中有机材料包括粘合剂、塑化剂和有机溶剂中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的一种三相桥电路的陶瓷封装工艺，其特征在于：所述S1中制得的外壳进行电镀处理，所述电镀处理为对外壳暴露的金属进行镀Ni，然后将金属零件钎焊到陶瓷基体上，最后将暴露的金属进行表面镀Au。

4.根据权利要求3所述的一种三相桥电路的陶瓷封装工艺，其特征在于：所述钎焊为Ag-Cu钎焊。

5.根据权利要求1所述的一种三相桥电路的陶瓷封装工艺，其特征在于：所述S2中的指定温度为140℃-160℃。

6.根据权利要求1所述的一种三相桥电路的陶瓷封装工艺，其特征在于：所述S4中设置参数为：

金丝规格：23μm-28μm；

将用于夹持键合机的夹具的温度控制在150±2℃；

将键合机的劈刀压力控制在17±2gf。

7.根据权利要求1所述的一种三相桥电路的陶瓷封装工艺，其特征在于：所述S5中的无氧处理为抽真空或充氮气。

8.根据权利要求1所述的一种三相桥电路的陶瓷封装工艺，其特征在于：所述S6中的漏气检验为将样品放入氟油中，如果出现明显的氟油泡说明有漏气存在，否则即为通过测试。