[发明专利]一种三相桥电路的陶瓷封装工艺在审
申请号: | 202211504007.8 | 申请日: | 2022-11-28 |
公开(公告)号: | CN115910804A | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 辛显镕;崔怀军 | 申请(专利权)人: | 西安广勤电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;H01L21/50;H01L21/66 |
代理公司: | 西安智艺浩晖专利代理事务所(普通合伙) 61274 | 代理人: | 史艳艳 |
地址: | 710000 陕西省西安市市辖区高新*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三相 电路 陶瓷封装 工艺 | ||
本发明公开了一种三相桥电路的陶瓷封装工艺,包括以下步骤:S1.陶瓷基板与外壳成型:使用包含氧化铝和氧化铍的无机材料以及有机材料烧结成陶瓷基板;将陶瓷生片在氮氢混合气中进行烧结,烧结后制成外壳;S2、管座上涂胶与贴片:使用点胶机点胶,将芯片贴在基板上,并在指定温度的环境下固化0.5‑1.5h;S3.等离子清洗:通过等离子清洗机对固化后的管座进行清洗;本发明的有益效果是:封装材料使用氧化铝(AL2O3)、氧化铍(BeO)等材料,这类材料的热导率很高,介电常数低,适用于高频三相桥大功率电路;该封装具有气密性很好,有足够高的机械强度,表面光滑,绝缘破坏电压高,在高温度,大湿度的条件下可以保证产品的性能稳定等特点。
技术领域
本发明涉及封装技术领域,具体为一种三相桥电路的陶瓷封装工艺。
背景技术
封装技术是一种将芯片的焊区与封装的外引脚互联起来,并用绝缘的材料外壳打包起来的技术。现有封装包括塑料封装和金属封装等;
塑料封装材料是以环氧树脂为基础成分,添加的各种添加剂的混合物,塑料封装作为一种非气密性封装,最主要的缺点就是塑封半导体器件容易吸收潮气,潮气侵入芯片与微量杂质结合在一起,使器件受侵蚀而功能退化或损坏;并且由于塑料框架和芯片之间的热膨胀系数不同,使塑料包封料在芯片上产生热膨胀应力,导致塑料封装导热性差,热阻大;大功率器件充分散热和贮存温度范围受到很大的限制。
金属封装的缺点是价格贵,外形笨重,不能够满足半导体产业高速集成化发展的需求。
虽然塑料封装方式在尺寸、质量、成本和实用性等方面都优于陶瓷封装,但是陶瓷封装最大的优势——气密性,带来的优良的防潮防湿性能和高可靠性,恰恰是塑料封装的“软肋”。陶瓷封装还具有高频绝缘性能良好,在电、热、机械方面极其稳定的特点
由于半导体器件向高密度、高速度、超小型、多功能、低功耗、低成本方向发展,它们所需要的封装技术已不再像以前那样只是对半导体器件进行保护和转换、而是将封装本身同电路、元件甚至整机结合在一起、组成电路的一部分,将封装与电路、系统的参数、性能融为一体,这是不可分离的。
合格的封装能够对主体产品进行物理保护,标准规格化互连,并且在集成电路的集成度迅猛增加及大功率器件的出现,芯片运行的发热量也急剧上升,迫切的需要一种封装材料及工艺来解决这个问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种三相桥电路的陶瓷封装工艺,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种三相桥电路的陶瓷封装工艺,包括以下步骤:
S1.陶瓷基板与外壳成型:
使用包含氧化铝和氧化铍的无机材料以及有机材料烧结成陶瓷基板;
将陶瓷生片在氮氢混合气中进行烧结,烧结后制成外壳;
S2、管座上涂胶与贴片:使用点胶机点胶,将芯片贴在基板上,并在指定温度的环境下固化0.5-1.5h;
S3.等离子清洗:通过等离子清洗机对固化后的管座进行清洗;
S4、引线键合:安装引线和劈刀,设置参数后通过引线键合机进行键合;
S5、盖板封接、将管座与盖板放入缝焊设备中,对缝焊设备进行无氧处理,盖上盖板启动机器进行缝焊;
S6、检漏:将样品放入氟油中,进行漏气检验;
S7、环境测试:将样品放入相应的试验箱中按照设定试验程序执行。
优选的,所述S1中有机材料包括粘合剂、塑化剂和有机溶剂中的一种或几种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安广勤电子技术有限公司,未经西安广勤电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211504007.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:钠离子正极材料及其制备方法、二次电池
- 下一篇:一种移动式空调器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造