[发明专利]一种N型硅片的吸杂方法

权利要求书

1.一种N型硅片的吸杂方法，包括对金刚线切割后的硅片进行化学清洗及抛光工艺，其特征在于对化学清洗及抛光后的硅片机体在700-850°高温下退火炉内进行退火吸杂，退火吸杂过程中将氧气通入退火炉内，在氧气进入退火炉之前，氧气在低温纯水瓶内水浴通过，使氧气携带水蒸气进入退火炉内进行氧化反应；随后往退火炉内通入氮气，氮气进入退火炉之前，氮气在20℃恒温三氯氧磷恒温瓶内通过，使氮气携带三氯氧磷进入退火炉内。

2.根据权利要求1所述的一种N型硅片的吸杂方法，其特征在于往退火炉内还通入氯化氢及氧气混合气体。

3.根据权利要求1所述的一种N型硅片的吸杂方法，其特征在于通入退火炉内的氧气量为100-5000sccm，通入退火炉内的氮气量为100-3000sccm。

4.根据权利要求2所述的一种N型硅片的吸杂方法，其特征在于氯化氢与氧气的混合量为氯化氢100-1000sccm ，氧气100-3000sccm。

5.根据权利要求1所述的一种N型硅片的吸杂方法，其特征在于氧气与氮气在退火炉内的合计反应时间为200-6000秒。