[发明专利]一种基于LTCC技术的变频电路基板制作方法及变频电路

权利要求书

1.一种基于LTCC技术的变频电路基板制作方法，其特征在于，所述方法包括：

采用带膜加工工艺依次完成LTCC基板各层生瓷片的打孔、填孔和网印工序，以控制各层生瓷片的层间对位；

使用激光切割机对各层生瓷片进行二次对位空腔切割，加工出第1层、第2层、第19层、第20层生瓷片上的空腔；

在叠片台上按顺序依次套上各层生瓷片后套上叠片盖板，并使用铝箔袋进行真空包封得到待层压LTCC生瓷片组件；其中，在第1层与第2层的背面空腔放入碳粉塞子，在第19层与第20层的正面空腔放入道康宁硅胶塞子；

对所述待层压LTCC生瓷片组件进行等静压层压后，取出道康宁硅胶塞子，并完成LTCC生瓷坯热切与单元电路的共烧工序，得到带有双面空腔的LTCC基板；

根据变频电路的版图设计，在带有双面空腔的LTCC基板上完成正、背表面的围框焊接与元器件安装，获得变频电路基板。

2.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的变频电路基板制作方法，其特征在于，所述带膜加工工艺是指在各层生瓷片的打孔、填孔和网印工序中保留生瓷片背面的Mylar膜，在进行叠片工序前再将背面的Mylar膜去除。

3.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的变频电路基板制作方法，其特征在于，所述网印工序的印刷步骤包括：

先在印刷烘干完成的第1层与第3层正面分别贴上一张与生瓷片等大的静电膜；

将贴好静电膜的生瓷片正面向下放置在真空台上，去除所述第1层与第3层生瓷片背面自身的mylar膜；

再对第1层与第3层生瓷片进行背面金属图形的印刷；

根据设定的干燥条件完成印刷浆料的干燥处理。

4.根据权利要求3所述的基于LTCC技术的变频电路基板制作方法，其特征在于，所述设定的干燥条件包括：干燥温度为40℃，干燥时间为30min。

5.根据权利要求3所述的基于LTCC技术的变频电路基板制作方法，其特征在于，所述静电膜的厚度为50～70μm，静电膜的剥离强度为2～4gf/25mm。

6.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的变频电路基板制作方法，其特征在于，所述在第19层与第20层的正面空腔放入道康宁硅胶塞子时，将道康宁硅胶塞子外包裹保鲜膜，以防止所述道康宁硅胶塞子与生瓷片或印刷金属黏连。

7.根据权利要求1至6任一所述的基于LTCC技术的变频电路基板制作方法，其特征在于，所述在第1层与第2层的背面空腔放入碳粉塞子包括：使用厚度为115μm的碳粉生瓷进行层压，所述碳粉生瓷的层数与空腔层数相同；所述碳粉生瓷层压的预热时间设置为10min，预热温度设置为70℃, 层压压力设置为1000psi，层压时间设置为20min。

8.根据权利要求7所述的基于LTCC技术的变频电路基板制作方法，其特征在于，所述单元电路的共烧工序包括：将LTCC生瓷片的背面空腔朝上置于烧结支架上进行烧结，参照碳粉材料TG曲线在LTCC基板烧结曲线的600℃保温1小时，以使所述碳粉塞子充分烧结排除。

9.根据权利要求1或8所述的基于LTCC技术的变频电路基板制作方法，其特征在于，所述等静压层压的预热时间设置为10min，预热温度设置为70℃, 层压压力设置为3000psi，层压时间设置为10min。

10.一种基于LTCC技术的变频电路，其特征在于，使用如权利要求1-9中任一项所述的方法制备而成。