[发明专利]光传感器

权利要求书

1.一种光传感器，包含：

基板；

栅极线，位于该基板上方；

数据线，位于该基板上方；

薄膜晶体管，该薄膜晶体管的栅极电连接该栅极线，该薄膜晶体管的漏极电连接该数据线；

光感测元件，该光感测元件的下电极电连接该薄膜晶体管的源极；

共通电极线，位于该基板上方，并电连接该光感测元件的上电极；

第一色阻，位于该薄膜晶体管上方，且由俯视观之，该第一色阻围绕该光感测元件；以及

光转换材料层，位于该第一色阻上。

2.如权利要求1所述的光传感器，其中该第一色阻是红色光致抗蚀剂。

3.如权利要求1所述的光传感器，其中该第一色阻是蓝色光致抗蚀剂。

4.如权利要求1所述的光传感器，其中该光转换材料层包含铊掺杂的碘化铯材料。

5.如权利要求1所述的光传感器，其中该光转换材料层设置为能够将X射线转换为在500纳米与600纳米之间的波长范围内的可见光。

6.如权利要求5所述的光传感器，其中该第一色阻对于该波长范围内的该可见光的平均穿透率小于50％。

7.如权利要求1所述的光传感器，其中该光转换材料层在该光感测元件正上方的上表面低于该光转换材料层在该第一色阻正上方的上表面。

8.如权利要求1所述的光传感器，其中该光转换材料层在该光感测元件正上方的上表面高于该光转换材料层在该第一色阻正上方的上表面。

9.如权利要求1所述的光传感器，进一步包含透明有机保护层设置于该光转换材料层与该光感测元件之间。

10.如权利要求9所述的光传感器，其中该透明有机保护层的折射率大于该第一色阻的折射率。

11.如权利要求9所述的光传感器，其中该透明有机保护层至少部分位于该光感测元件正上方，并与该第一色阻的上表面齐平。

12.如权利要求9所述的光传感器，其中该透明有机保护层具有第一部分位于该第一色阻正上方，以及第二部分位于该光感测元件正上方。

13.如权利要求9所述的光传感器，进一步包含无机保护层设置于该第一色阻与该透明有机保护层之间。

14.如权利要求13所述的光传感器，其中该无机保护层的折射率大于该透明有机保护层的折射率。

15.如权利要求1所述的光传感器，进一步包含第二色阻至少部分位于该光感测元件正上方，该第二色阻对于在500纳米与600纳米之间的波长范围内的可见光的平均穿透率大于90％。