[发明专利]光传感器

说明书

本发明公开一种光传感器，其包含基板、栅极线、数据线、薄膜晶体管、光感测元件、共通电极线、第一色阻以及光转换材料层。栅极线位于基板上方。数据线位于基板上方。薄膜晶体管的栅极电连接栅极线。薄膜晶体管的漏极电连接数据线。光感测元件的下电极电连接薄膜晶体管的源极。共通电极线位于基板上方，并电连接光感测元件的上电极。第一色阻位于薄膜晶体管上方，且由俯视观之，第一色阻围绕光感测元件。光转换材料层位于第一色阻上。

技术领域

本发明涉及一种光传感器。

背景技术

光传感器普遍应用于智能型手机、笔记型电脑或平板电脑等电子装置。除此之外，光传感器也应用于医疗诊断工具。举例来说，配置以接收X光的X光光传感器可将通过人体组织的X光转换为可视化影像。如何提出一种可以增进可见光于光传感器的光感测元件中的准直性以大幅提升影像的品质问题的光传感器，是目前业界亟欲投入研发资源解决的问题之一。

发明内容

有鉴于此，本发明的一目的在于提出一种可有解决上述问题的光传感器。

为了达到上述目的，依据本发明的一实施方式，一种光传感器包含基板、栅极线、数据线、薄膜晶体管、光感测元件、共通电极线、第一色阻以及光转换材料层。栅极线位于基板上方。数据线位于基板上方。薄膜晶体管的栅极电连接栅极线。薄膜晶体管的漏极电连接数据线。光感测元件的下电极电连接薄膜晶体管的源极。共通电极线位于基板上方，并电连接光感测元件的上电极。第一色阻位于薄膜晶体管上方，且由俯视观之，第一色阻围绕光感测元件。光转换材料层位于第一色阻上。

在本发明的一或多个实施方式中，第一色阻是红色光致抗蚀剂。

在本发明的一或多个实施方式中，第一色阻是蓝色光致抗蚀剂。

在本发明的一或多个实施方式中，光转换材料层包含铊(Tl)掺杂的碘化铯(CsI)材料。

在本发明的一或多个实施方式中，光转换材料层设置为能够将X射线转换为在500纳米与600纳米之间的波长范围内的可见光。

在本发明的一或多个实施方式中，第一色阻对于波长范围内的可见光的平均穿透率小于50％。

在本发明的一或多个实施方式中，光转换材料层在光感测元件正上方的上表面低于光转换材料层在第一色阻正上方的上表面。

在本发明的一或多个实施方式中，光转换材料层在光感测元件正上方的上表面高于光转换材料层在第一色阻正上方的上表面。

在本发明的一或多个实施方式中，光传感器还包含透明有机保护层设置于光转换材料层与光感测元件之间。

在本发明的一或多个实施方式中，透明有机保护层的折射率大于第一色阻的折射率。

在本发明的一或多个实施方式中，透明有机保护层至少部分位于光感测元件正上方，并与第一色阻的上表面齐平。

在本发明的一或多个实施方式中，透明有机保护层具有第一部分位于第一色阻正上方，以及第二部分位于光感测元件正上方。

在本发明的一或多个实施方式中，光传感器还包含无机保护层设置于第一色阻与透明有机保护层之间。

在本发明的一或多个实施方式中，无机保护层的折射率大于透明有机保护层的折射率。

在本发明的一或多个实施方式中，光传感器还包含第二色阻至少部分位于光感测元件正上方，第二色阻对于在500纳米与600纳米之间的波长范围内的可见光的平均穿透率大于90％。