[发明专利]一种非均匀性校正单个偏移参数的校正算法

权利要求书

1.一种非均匀性校正单个偏移参数的校正算法，其特征在于，所述校正算法包括如下步骤：

步骤1，通过采集标准校正参考源在低温和高温情况下非制冷红外焦平面阵列上任一个像元的响应值，计算得到隶属于像元的校正系数；

步骤2，构造像元响应模型中单偏移校正参数存储模型，该单偏移校正参数存储模型包括：校正响应增益系数存储模型＝{隶属于像元的采集数据地址，校正响应增益系数，隶属于校正响应增益系数的提取参数}，校正响应偏置系数存储模型＝{隶属于像元的采集数据地址，校正响应偏置系数，隶属于校正响应偏置系数的提取参数}；

聚合单偏移校正参数存储模型生成复合校正存储模型＝{隶属于像元的采集数据地址，隶属于复合校正系数的提取参数，校正响应增益系数存储模型，校正响应偏置系数存储模型}；

步骤3，获取非制冷红外焦平面阵列上隶属于像元的采集数据地址、与在辐射通量Φ_K下的响应值Rv_K；

调用与像元的采集数据地址对应的复合校正存储模型，在隶属于复合校正系数的提取参数的参与作用下，若采集数据地址识别确认成功，则从复合校正存储模型中提取出单偏移校正参数存储模型；

在隶属于单偏移参数的提取参数的参与作用下，若采集数据地址识别确认成功，则从单偏移校正参数存储模型中提取出校正响应增益系数和校正响应偏置系数，据此输出响应值Rv_K的校正值E_Rv(Φ_K)。

2.根据权利要求1所述的一种非均匀性校正单个偏移参数的校正算法，其特征在于，所述校正响应增益系数存储模型为存储模型SM_G，其生成步骤如下：

设定存储模型SM_G的存储系数Gr，然后执行如下的计算过程：

基于存储系数Gr的第一提取参数GR；

基于存储系数Gr的第二提取参数Gh；

基于存储系数Gr的第三提取参数GV；

输出存储模型SM_G为{隶属于像元的采集数据地址，校正响应增益系数，第一提取参数GR，第三提取参数GV}。

3.根据权利要求2所述的一种非均匀性校正单个偏移参数的校正算法，其特征在于，所述校正响应偏置系数存储模型为存储模型SM_Of，其具体生成步骤如下：

设定存储模型SM_Of的存储系数Or，然后执行如下的计算过程：

基于存储系数Or_ppij的第一提取参数OR；

基于存储系数Or_ppij的第二提取参数Oh；

基于存储系数Or_ppij的第三提取参数OV；

输出存储模型SM_Ofppij为{隶属于像元的采集数据地址，校正响应偏置系数，第一提取参数OR，第三提取参数OV}。

4.根据权利要求3所述的一种非均匀性校正单个偏移参数的校正算法，其特征在于，所述复合校正存储模型为存储模型SM，其具体生成步骤如下：

根据存储模型SM_G的第一提取参数GR和存储模型SM_Of的第一提取参数OR，计算像元的复合校正偏移参数的第一提取参数R＝GhGR+OhOR；

根据存储模型SM_G的第三提取参数GV和存储模型SM_Of的第三提取参数OV，计算像元的复合校正偏移参数的第三提取参数V＝GV+OV；

输出存储模型SM为{隶属于像元的采集数据地址，第一提取参数R，第三提取参数V，存储模型SM_G，存储模型SM_Of}。