[发明专利]一种非均匀性校正单个偏移参数的校正算法在审
申请号: | 202211511725.8 | 申请日: | 2022-11-29 |
公开(公告)号: | CN115752759A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 宋鸿飞;张馨壬;曹文晓;张科航;谭文;郭飞;周见红;孟颖;闫钰锋;李鹏飞;张云朋;王子乾 | 申请(专利权)人: | 长春理工大学 |
主分类号: | G01J5/90 | 分类号: | G01J5/90;G06F17/10 |
代理公司: | 合肥左心专利代理事务所(普通合伙) 34152 | 代理人: | 朱磊 |
地址: | 130022 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 均匀 校正 单个 偏移 参数 算法 | ||
本发明涉及红外焦平面阵列非均匀性校正设计技术领域,且公开了一种非均匀性校正单个偏移参数的校正算法,利用标准校正参考源提供给非制冷红外焦平面阵列均匀入射辐射通量,测量每个探测单元输出响应,并按照线性假设条件对非制冷红外焦平面阵列的响应曲线进行拟合输出非均匀校正参数,通过构造像元响应模型中单偏移校正参数存储模型、把单偏移参数存储模型聚合生成复合校正存储模型,根据像元和采集数据地址获取复合校正存储模型,从复合校正存储模型中提取单偏移校正参数存储模型,从单偏移校正参数存储模型中提取单个校正偏移参数,整个提取过程经过若干次的识别确认,有效地保证了非制冷红外焦平面阵列上任一探测单元校正结果的准确性。
技术领域
本发明涉及红外焦平面阵列非均匀性校正技术领域,具体为一种非均匀性校正单个偏移参数的校正算法。
背景技术
红外焦平面阵列广泛应用于红外跟踪和制导等领域,理想情况下,同一焦平面的各个像元对一个均匀且稳定的辐射目标的响应是一致的。但是由于空间噪声和瞬态随机噪声的影响,这些像元的响应值之间会有不同程度的差别。这种差别主要是由于各像元之间的非均匀性造成的,可以通过将每个像元的响应曲线校正到一个标准曲线上的方法来减弱这样的差别,也就是所谓的非均匀性校正方法。
改善探测器信号非均匀性一般来说有两种方法:一种改善探测器生产工艺、读出电路设计来和探测器耦合方法,以降低输出信号的非均匀性;另一种是采用后续图像处理电路对探测器在相同辐射强度下不同的响应值进行补偿的方法。相比而言,后一种方案效果显著并更易实现,深受各研究单位的重视。
发明内容
为了解决非制冷型红外焦平面阵列探测器在同一均匀辐射条件下各探测单元响应输出不同的技术问题,本发明提供一种非均匀性校正单个偏移参数的校正算法。
一种非均匀性校正单个偏移参数的校正算法,所述校正算法包括如下步骤:
步骤1,通过采集标准校正参考源在低温和高温情况下非制冷红外焦平面阵列上任一个像元的响应值,计算得到隶属于像元的校正系数;
步骤2,构造像元响应模型中单偏移校正参数存储模型,该单偏移校正参数存储模型包括:校正响应增益系数存储模型={隶属于像元的采集数据地址,校正响应增益系数,隶属于校正响应增益系数的提取参数},校正响应偏置系数存储模型={隶属于像元的采集数据地址,校正响应偏置系数,隶属于校正响应偏置系数的提取参数};
聚合单偏移校正参数存储模型生成复合校正存储模型={隶属于像元的采集数据地址,隶属于复合校正系数的提取参数,校正响应增益系数存储模型,校正响应偏置系数存储模型};
步骤3,获取非制冷红外焦平面阵列上隶属于像元的采集数据地址、与在辐射通量ΦK下的响应值RvK;
调用与像元的采集数据地址对应的复合校正存储模型,在隶属于复合校正系数的提取参数的参与作用下,若采集数据地址识别确认成功,则从复合校正存储模型中提取出单偏移校正参数存储模型;
在隶属于单偏移参数的提取参数的参与作用下,若采集数据地址识别确认成功,则从单偏移校正参数存储模型中提取出校正响应增益系数和校正响应偏置系数,据此输出响应值RvK的校正值ERv(ΦK)。
优选的,所述校正响应增益系数存储模型为存储模型SMG,其生成步骤如下:
设定存储模型SMG的存储系数Gr,然后执行如下的计算过程:
基于存储系数Gr的第一提取参数GR;
基于存储系数Gr的第二提取参数Gh;
基于存储系数Gr的第三提取参数GV;
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