[发明专利]一种不同电压应用的LDMOS寄生电容建模方法

权利要求书

1.一种不同电压应用的LDMOS寄生电容建模方法，包括如下步骤：

步骤S1，基于现有不同应用电压LDMOS的SPICE模型为基准，提取不同应用电压下的LDMOS的栅漏寄生电容(Cgd)；

步骤S2，基于对LDMOS器件结构和栅漏寄生电容Cgd的分析，将栅漏寄生电容(Cgd)划分为沟道电容(cgdc)和覆盖电容(cgdov)，并构建得到相应的数学拟合公式；

步骤S3，基于沟道电容(cgdc)与覆盖电容(cgdov)的数学拟合公式得到栅漏寄生电容(Cgd)的拟合公式，并对步骤S1所获取的数据重新进行拟合以更新栅漏寄生电容(Cgd)拟合公式的系数，从而建立新的SPICE模型。

2.如权利要求1所述的不同电压应用的LDMOS寄生电容建模方法，其特征在于，所述沟道电容(cgdc)基于现有SPICE模型拟合公式构建，用于表征沟道末端与栅极之间的寄生电容。

3.如权利要求2所述的不同电压应用的LDMOS寄生电容建模方法，其特征在于，所述覆盖电容(cgdov)采用线性拟合公式构建，用于表征N型漂移区与多晶硅场极板之间的寄生电容。

4.如权利要求3所述的不同电压应用的LDMOS寄生电容建模方法，其特征在于，所述覆盖电容(cgdov)的构建包括：

获取不同应用电压下的覆盖电容数据；

基于获取的覆盖电容数据形成数学拟合趋势线，从而得到线性拟合公式；

计入参数的量纲，得到所述覆盖电容(cgdov)的数学拟合公式。

5.如权利要求4所述的不同电压应用的LDMOS寄生电容建模方法，其特征在于，在步骤S3中，在基于现有SPICE模型拟合公式构建的沟道电容(cgdc)的数学拟合公式中增加所述覆盖电容(cgdov)的数学拟合公式作为栅漏寄生电容(Cgd)的拟合公式。

6.如权利要求5所述的不同电压应用的LDMOS寄生电容建模方法，其特征在于，在步骤S2中，基于现有SPICE模型拟合公式构建的沟道电容(cgdc)的数学拟合公式为：

Cgdc＝rnwc*w*count*(lc/(lc-rnlc)*(cvar1_n+cvar2_n*(1+tanh(v(g,d1)+cvar3_n)/cvar4_n)))

其中，cvar1_n为第一n型电容系数、cvar2_n为第二n型电容系数、cvar3_n为第三n型电容系数、cvar4_n为第四n型电容系数cvar4_n，rnwc为n型宽度系数，w为器件宽度，count为重复数，lc为器件有效长度，tanh为双曲正切函数，v(g,d1)为栅漏电压。

7.如权利要求6所述的不同电压应用的LDMOS寄生电容建模方法，其特征在于，在步骤S2中，构建的覆盖电容cgdov的数学拟合公式为：

cgdov＝(cgdov1*(pf+pa)-cgdov2)*1e-16

其中，cgdov1为第一覆盖电容系数，cgdov2为第二覆盖电容系数，pf为PF区域长度，pa为PA区域长度。

8.如权利要求7所述的不同电压应用的LDMOS寄生电容建模方法，其特征在于，在步骤S3中，得到新的栅漏寄生电容(Cgd)的拟合公式为：

Cgd＝rnwc*w*count*(lc/(lc-rnlc)*(cvar1_n+cvar2_n*(1+tanh(v(g,d1)+cvar3_n)/cvar4_n)))+(cgdov1*(pf+pa)-cgdov2)*1E-16。

9.如权利要求8所述的不同电压应用的LDMOS寄生电容建模方法，其特征在于，在步骤S3中，所更新的栅漏寄生电容(Cgd)拟合公式的系数包括第一n型电容系数cvar1_n、第二n型电容系数cvar2_n、第三n型电容系数cvar3_n、第四n型电容系数cvar4_n和n型宽度系数rnwc。

10.如权利要求9所述的不同电压应用的LDMOS寄生电容建模方法，其特征在于，对新的SPICE模型中的栅体寄生电容(Cgb)，保持其原拟合公式和系数。