[发明专利]衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

权利要求书

1.衬底处理方法，其具有：

(A)通过向具有第一表面和第二表面的衬底供给改性剂，从而在所述第一表面形成抑制剂层的工序；和

(B)通过向在所述第一表面形成所述抑制剂层后的所述衬底供给成膜剂，从而在所述第二表面上形成膜的工序，

以使得在将构成所述抑制剂层的抑制剂分子的宽度设为WI、将所述第一表面的吸附位点的间隔设为DA、将构成所述成膜剂中所含的特定物质的分子X的宽度设为WP的情况下，

WI小于DA时满足WP＞DA-WI，

WI大于DA时满足WP＞DAx-WI，其中，x为满足WI＜DAx的最小的整数。

2.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，以满足DA＞WI及WP＞DA-WI的方式或者以满足DA＜WI及WP＞DAx-WI的方式选定所述改性剂的种类。

3.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，以满足DA＞WI及WP＞DA-WI的方式或者以满足DA＜WI及WP＞DAx-WI的方式选定所述特定物质的种类。

4.如权利要求1所述的衬底处理方法，其在进行(A)之前还具有：(C)对DA进行调节的工序。

5.如权利要求4所述的衬底处理方法，其中，在(C)中，以满足DA＞WI及WP＞DA-WI的方式或者以满足DA＜WI及WP＞DAx-WI的方式，对DA进行调节。

6.如权利要求4所述的衬底处理方法，其中，在(C)中利用热处理对DA进行调节。

7.如权利要求4所述的衬底处理方法，其中，在(C)中利用清洗处理对DA进行调节。

8.如权利要求4所述的衬底处理方法，其中，在(C)中利用蚀刻处理对DA进行调节。

9.如权利要求4所述的衬底处理方法，其中，在(C)中利用还原处理对DA进行调节。

10.如权利要求4所述的衬底处理方法，其中，在(C)中利用氧化处理对DA进行调节。

11.如权利要求4所述的衬底处理方法，其中，在(C)中利用等离子体处理对DA进行调节。

12.如权利要求4所述的衬底处理方法，其中，在(C)中利用含氧及氢的物质向所述衬底的暴露对DA进行调节。

13.如权利要求1～12中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述第一表面的吸附位点包含OH基。

14.如权利要求1～12中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述第一表面包含含氧膜及含金属膜中的至少任一者，所述第二表面包含非含氧膜及非含金属膜中的至少任一者。

15.如权利要求1～12中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述抑制剂分子包含烃基、氟化碳基及氟化甲硅烷基中的至少任一者。

16.如权利要求1～12中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述成膜剂包含原料及反应体，所述特定物质包含所述原料及所述反应体中的至少任一者。

17.如权利要求1～12中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述成膜剂包含原料、反应体及催化剂，所述特定物质包含所述原料、所述反应体及所述催化剂中的至少任一者。