[发明专利]衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

说明书

本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。本发明提供能够在所期望的表面上以高精度选择性地形成膜的技术。其具有：(A)通过向具有第一表面和第二表面的衬底供给改性剂，从而在前述第一表面形成抑制剂层的工序；和(B)通过向在前述第一表面形成前述抑制剂层后的前述衬底供给成膜剂，从而在前述第二表面上形成膜的工序。以使得在将构成前述抑制剂层的抑制剂分子的宽度设为WI、将前述第一表面的吸附位点的间隔设为DA、将构成前述成膜剂中所含的特定物质的分子X的宽度设为WP的情况下，WI小于DA时满足WP＞DA‑WI，WI大于DA时满足WP＞DAx‑WI(x为满足WI＜DAx的最小的整数)。

技术领域

本公开文本涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。

背景技术

作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行在衬底的表面露出的材质不同的多种表面之中特定的表面上选择性地生长并形成膜的处理(以下，也将该处理称作选择生长或选择成膜)(例如参见专利文献1、2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2020-155452号公报

专利文献2：日本特开2020-155607号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，因进行选择生长时所使用的改性剂、成膜剂的不同，有时难以在多种表面之中特定的表面上选择性地使膜生长。

本公开文本的目的在于提供能够在所期望的表面上以高精度选择性地形成膜的技术。

用于解决课题的手段

根据本公开文本的一个方式，提供一种技术，其具有：

(A)通过向具有第一表面和第二表面的衬底供给改性剂，从而在前述第一表面形成抑制剂层的工序；和

(B)通过向在前述第一表面形成前述抑制剂层后的前述衬底供给成膜剂，从而在前述第二表面上形成膜的工序，

以使得在将构成前述抑制剂层的抑制剂分子的宽度设为WI、将前述第一表面的吸附位点的间隔设为DA、将构成前述成膜剂中所含的特定物质的分子X的宽度设为WP的情况下，

WI小于DA时满足WP＞DA-WI，

WI大于DA时满足WP＞DAx-WI(x为满足WI＜DAx的最小的整数)。

发明效果

根据本公开文本，能够以高精度在所期望的表面上选择性地形成膜。

附图说明

[图1]图1为本公开文本的一个方式中适宜使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，且是以纵向剖视图来示出处理炉202部分的图。

[图2]图2为本公开文本的一个方式中适宜使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，且是以图1的A-A线剖视图来示出处理炉202部分的图。

[图3]图3为本公开文本的一个方式中适宜使用的衬底处理装置的控制器121的概略构成图，且是以框图来示出控制器121的控制系统的图。

[图4]图4为示出本公开文本的一个方式中的处理顺序的图。