[发明专利]一种非接触卡快速调试的方法在审
申请号: | 202211517578.5 | 申请日: | 2022-11-29 |
公开(公告)号: | CN115719074A | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 刘彬;殷木省;刘可 | 申请(专利权)人: | 艾体威尔电子技术(北京)有限公司 |
主分类号: | G06K7/10 | 分类号: | G06K7/10 |
代理公司: | 北京市盛峰律师事务所 11337 | 代理人: | 洪丽 |
地址: | 100195 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 接触 快速 调试 方法 | ||
本发明提供了一种非接触卡快速调试的方法,该方法采用主处理芯片调试非接触卡,其中所述主处理芯片内的代码结构层次包括:AP I层、数据传输层,国际卡协议层和硬件驱动层I,所述非接触卡包括硬件驱动层I I,将非接触卡中通用的国际卡协议层通过软件代码便携固化在主处理芯片(CPU)中,使得在进行非接触卡功能调试时,不再需要进行繁琐的代码修改,只需要修改CPU中的硬件驱动层和非接触卡中的硬件驱动层,使得指令和格式相同,即可实现调试指令的传输,极大地减少了代码修改工作量,提高了非接触卡调试效率,更全面、高效、兼容各种不同的非接触卡芯片。
技术领域
本发明涉及非接触卡调试技术领域,尤其涉及一种非接触卡快速调试的方法。
背景技术
随着电子金融支付场景的增多,对非接触卡的功能调试越来越多,目前对非接触卡的调试过程主要采用如下方式进行调试:采用双芯片结构,其中主处理芯片的代码结构层次包括AP I层,数据传输层,硬件驱动层;非接触卡的代码结构层次包括AP I层,数据传输层,国际卡协议层(即EMVCo、14443协议)和硬件驱动层,如图1所示。进行调试时,上位机调试设备需要修改主处理器芯片(主CPU)代码的硬件驱动层,以及非接触卡芯片代码的API层、数据传输层、硬件驱动层,使双芯片软件交互协调一致,从而实现调试非接触卡功能,具体包括:
1)技术人员分别修改主处理器芯片(主CPU)的硬件驱动层,和非接触卡芯片的API层,使指令和数据格式一致,再由主处理器芯片(主CPU)的硬件驱动层,把指令传送到非接触卡芯片的AP I层;
2)技术人员修改非接触卡芯片的数据传输层,使其匹配修改后的AP I层的指令和数据格式,再由AP I层把指令通过数据传输层和国际卡协议层,传送到硬件驱动层,并在硬件驱动层处理指令内容;
3)非接触卡芯片的硬件驱动层在处理完指令内容后,会得到非接触卡数据,再经过国际卡协议层和数据传输层,回传到非接卡芯片的API层;
4)非接卡芯片的AP I层在接收到数据后,把数据传送到主处理器芯片(主CPU)的硬件驱动层;
5)主处理器芯片(主CPU)的硬件驱动层,把非接触卡芯片返回的数据,通过数据传输层,传送到AP I层,结束一次指令的收发过程。
当进行多个非接触卡芯片调试时,需要不断重复上述的修改过程,导致调试过程繁琐,且由于市面上的非接触卡芯片生产厂商非常多,非接触卡芯片种类也非常多,每个芯片厂商的芯片代码也不一致,则设备更换非接触卡芯片时,双芯片软件更改的工作量非常大。每次更换非接触卡芯片时,技术人员都需要把上述软件内容修改一遍,再调试非接触卡功能。这类重复性的工作,严重影响了设备技术人员的工作效率,以及设备生产效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种非接触卡快速调试的方法,从而解决现有技术中存在的前述问题。
为了实现上述目的,本发明采用的技术方案如下:
一种非接触卡快速调试的方法,采用主处理芯片(CPU)调试非接触卡,其中所述主处理芯片内的代码结构层次包括:AP I层、数据传输层,国际卡协议层和硬件驱动层I,所述非接触卡包括硬件驱动层I I,包括以下步骤:
S1,所述主处理芯片与所述待调试的非接触卡硬件引脚配置一一对应,物理相连,并配置相同的通讯速率;
S2,主处理芯片从AP I层发送调试指令,经过所述数据传输层和所述国际卡协议层,到达所述硬件驱动层I;
S3,修改主处理器芯片的硬件驱动层I和非接触卡的硬件驱动层I I,使其指令和数据格式一致,再由主处理器芯片的硬件驱动层I将调试指令传送到非接触卡芯片的硬件驱动层I I;
S4,非接触卡芯片的硬件驱动层I I在处理完指令内容后,会得到非接触卡返回的数据,直接把数据回传给主处理器芯片的硬件驱动层I;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾体威尔电子技术(北京)有限公司,未经艾体威尔电子技术(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211517578.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。