[发明专利]不锈钢封装衬底及其制造工艺

说明书

本发明揭示了不锈钢封装衬底及其制造工艺，包括不锈钢基层，不锈钢基层上设有矩阵式设置的电镀凹槽，任意电镀凹槽上设有相对不锈钢基层凸起的导通凸起，不锈钢基层位于导通凸起的一侧设有连通若干导通凸起的导线金线层。通过不锈钢基层准备、电镀凹槽成型、压膜及负片曝光显影、导通凸起电镀、成型步骤形成。本发明采用以不锈钢基体搭载成型的引线框架结构，其剥离后厚度相较传统铜合金框架更薄，使得封装厚度得到有效控制，满足高精密超薄芯片封装需求。通过不锈钢作为载体实现叠层加法工艺成型，打金线承载力度更强，其上引线框架结构强度可靠且形变量较小。在封装后其贴合面存在导电凸起从而无需再次镀锡，精简了封装工艺，降低了封装成本。

技术领域

本发明涉及不锈钢封装衬底及其制造工艺，属于芯片引线框架衬底的技术领域。

背景技术

引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。

在芯片封装工艺中，需要进行以引线框架作为基底的封装作业，引线框架的一侧需要进行打金线形成导电线路、另一侧需要进行相应地镀锡等作业，从而满足电气回路连通需求。

目前引线框架基本采用蚀刻工艺形成镂空支架结构件，再通过在镂空支架结构件上进行镀层成型的方式制作，此类镂空支架结构件为了保障电导率稳定性采用了铜合金引线框架，铜合金引线框架封装厚度无法满足当前芯片封装的超薄特性需求，同时，其上金线成型结合稳定性较差，在封装后导通配接时还需要进行镀焊等作业。

发明内容

本发明的目的是解决上述现有技术的不足，针对传统引线框架封装厚度较高及封装作业复杂的问题，提出不锈钢封装衬底及其制造工艺。

为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案为：

不锈钢封装衬底，包括不锈钢基层，所述不锈钢基层上设有矩阵式设置的电镀凹槽，任意所述电镀凹槽上设有相对所述不锈钢基层凸起的导通凸起，

所述不锈钢基层位于所述导通凸起的一侧设有连通若干所述导通凸起的导线金线层。

优选地，所述导通凸起包括与所述电镀凹槽相连的电镀基层、设置在所述电镀基层上的电镀银层。

优选地，所述电镀基层包括与所述电镀凹槽相连的电镀金层、设置在所述电镀金层与所述电镀银层之间的电镀铜层。

优选地，所述电镀金层与所述电镀铜层之间设有电镀镍层。

优选地，所述电镀金层的厚度为0.01μm~0.05μm，所述电镀镍层的厚度为2~100μm，所述电镀铜层的厚度为2~100μm，所述电镀银层的厚度为1~10μm。

本发明还提出了不锈钢封装衬底的制造工艺，包括如下步骤：

S1不锈钢基层准备，选择不锈钢材料并进行裁切与清洁制得不锈钢基层；

S2电镀凹槽成型，在不锈钢基层上形成所述电镀凹槽；

S3压膜及负片曝光显影，在不锈钢基层的电镀凹槽一侧进行压膜与曝光显影外露所述电镀凹槽；

S4导通凸起电镀，根据导通凸起的层状结构进行依次电镀成型；

S5成型，去膜捞边成型。

优选地，所述步骤S2中，采用机加工或镭射进行所述电镀凹槽的成型。

优选地，所述步骤S2中，通过压膜与蚀刻进行所述电镀凹槽的成型。

本发明的有益效果主要体现在：

1.采用以不锈钢基体搭载成型的引线框架结构，其剥离后厚度相较传统铜合金框架更薄，使得封装厚度得到有效控制，满足高精密超薄芯片封装需求。