[发明专利]灵敏放大器及存储芯片

权利要求书

1.一种灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器包括：

预充电晶体管，所述预充电晶体管的第一极与电源端电连接，所述预充电晶体管的控制极与预充电控制端电连接；

第一钳位晶体管，所述第一钳位晶体管的第一极与所述预充电晶体管的第二极电连接，所述第一钳位晶体管的第二极与总位线电连接；

侦测单元，所述侦测单元耦接于所述电源端与所述预充电晶体管的第一极之间，用于侦测流经所述预充电晶体管的电流并转化为对应的电压；以及

反馈单元，所述反馈单元的输入端与所述预充电晶体管的第一极电连接，所述反馈单元的输出端与所述第一钳位晶体管的控制极电连接，用于削减流经所述第一钳位晶体管的电流峰值。

2.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述侦测单元包括侦测电阻，所述侦测电阻的一端与所述电源端电连接，所述侦测电阻的另一端与所述预充电晶体管的第一极、所述反馈单元的输入端电连接。

3.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述侦测单元包括侦测晶体管，所述侦测晶体管的第一极与所述电源端电连接，所述侦测晶体管的控制极与所述侦测晶体管的第二极、所述预充电晶体管的第一极电连接，所述侦测晶体管为P沟道型晶体管。

4.根据权利要求2或者3所述的灵敏放大器，其特征在于，所述反馈单元包括：

第一晶体管，所述第一晶体管的第一极与所述电源端电连接，所述第一晶体管的控制极与所述侦测电阻的另一端或者所述侦测晶体管的第二极电连接；

第二晶体管，所述第二晶体管的第一极与所述第一晶体管的第二极、所述第二晶体管的控制极电连接，所述第二晶体管的第二极与接地端电连接；以及

第三晶体管，所述第三晶体管的第一极与所述第一钳位晶体管的控制极电连接，所述第三晶体管的第二极与所述接地端电连接，所述第三晶体管的控制极与所述第一晶体管的第二极电连接。

5.根据权利要求4所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一晶体管为P沟道型晶体管；所述第二晶体管、所述第三晶体管均为N沟道型晶体管。

6.根据权利要求4所述的灵敏放大器，其特征在于，流经所述第一晶体管的电流与流经所述第三晶体管的电流之比为1：M，其中，M为正数。

7.根据权利要求4所述的灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括：

第四晶体管，所述第四晶体管的第一极与所述电源端电连接，所述第四晶体管的控制极与第一偏置电压端电连接，所述第四晶体管为P沟道型晶体管；

第二钳位晶体管，所述第二钳位晶体管的第一极与所述第四晶体管的第二极、所述第一钳位晶体管的控制极电连接，所述第二钳位晶体管的第二极与所述接地端电连接，所述第二钳位晶体管的控制极与所述第一钳位晶体管的第二极电连接。

8.根据权利要求7所述的灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器还包括：

第五晶体管，所述第五晶体管的第一极与所述电源端电连接，所述第五晶体管的控制极与第二偏置电压端电连接，所述第五晶体管的第二极与所述预充电晶体管的第二极电连接；

第六晶体管，所述第六晶体管的第一极与所述电源端电连接，所述第六晶体管的控制极与所述第五晶体管的第二极电连接，所述第六晶体管为P沟道型晶体管；

第七晶体管，所述第七晶体管的第一极与所述第六晶体管的第二极电连接，所述第七晶体管的控制极与第三偏置电压端电连接，所述第七晶体管的第二极与所述接地端电连接；以及

缓冲器，所述缓冲器的输入端与所述第六晶体管的第二极、所述第七晶体管的第一极电连接，所述缓冲器的输出端用于输出读出数据。

9.一种存储芯片，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的灵敏放大器，所述存储芯片为异或型闪存。

10.根据权利要求9所述的存储芯片，其特征在于，所述存储芯片还包括：

译码晶体管，所述译码晶体管的第一极与所述总位线电连接，所述译码晶体管的控制极与译码选择端电连接，所述译码晶体管的第二极与位线电连接；

存储晶体管，所述存储晶体管的第一极与所述位线电连接，所述存储晶体管的控制极与字线电连接，所述存储晶体管的第二极与所述接地端电连接。