[发明专利]灵敏放大器及存储芯片

说明书

本申请公开了一种灵敏放大器及存储芯片，该灵敏放大器包括预充电晶体管、第一钳位晶体管、侦测单元以及反馈单元，通过侦测单元侦测流经预充电晶体管的电流并转化为对应的电压，然后反馈单元根据该电压输出更低的电压，进而控制流经第一钳位晶体管的电流，不仅可以削弱流经第一钳位晶体管的电流峰值，缓解了对总位线或者位线充电的电流峰值较大的技术问题；而且侦测单元同时也起到了分压作用，预充电过程中也可以承受更大的电源电压，进而扩大了电源电压的允许使用范围。

技术领域

本申请涉及存储技术领域，具体涉及一种灵敏放大器及存储芯片。

背景技术

在存储芯片或者存储器中，灵敏放大器用于读出存储单元中的存储数据。然而，传统灵敏放大器对总位线或者位线的充电无法跟随电源电压进行有效的峰值控制，从而导致可使用的电源电压的范围较窄；同时，也会导致对总位线或者位线充电的电流峰值较大。

发明内容

本申请提供一种灵敏放大器及存储芯片，以缓解电源电压的允许使用范围较小及对总位线或者位线充电的电流峰值较大的技术问题。

第一方面，本申请提供一种灵敏放大器，该灵敏放大器包括预充电晶体管、第一钳位晶体管、侦测单元以及反馈单元，预充电晶体管的第一极与电源端电连接，预充电晶体管的控制极与预充电控制端电连接；第一钳位晶体管的第一极与预充电晶体管的第二极电连接，第一钳位晶体管的第二极与总位线电连接；侦测单元耦接于电源端与预充电晶体管的第一极之间，用于侦测流经预充电晶体管的电流并转化为对应的电压；反馈单元的输入端与预充电晶体管的第一极电连接，反馈单元的输出端与第一钳位晶体管的控制极电连接，用于削减流经第一钳位晶体管的电流峰值。

在其中一些实施方式中，侦测单元包括侦测电阻，侦测电阻的一端与电源端电连接，侦测电阻的另一端与预充电晶体管的第一极、反馈单元的输入端电连接。

在其中一些实施方式中，侦测单元包括侦测晶体管，侦测晶体管的第一极与电源端电连接，侦测晶体管的控制极与侦测晶体管的第二极、预充电晶体管的第一极电连接，侦测晶体管为P沟道型晶体管。

在其中一些实施方式中，反馈单元包括第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管，第一晶体管的第一极与电源端电连接，第一晶体管的控制极与侦测电阻的另一端或者侦测晶体管的第二极电连接；第二晶体管的第一极与第一晶体管的第二极、第二晶体管的控制极电连接，第二晶体管的第二极与接地端电连接；第三晶体管的第一极与第一钳位晶体管的控制极电连接，第三晶体管的第二极与接地端电连接，第三晶体管的控制极与第一晶体管的第二极电连接。

在其中一些实施方式中，第一晶体管为P沟道型晶体管；第二晶体管、第三晶体管均为N沟道型晶体管。

在其中一些实施方式中，流经第一晶体管的电流与流经第三晶体管的电流之比为1：M，其中，M为正数。

在其中一些实施方式中，灵敏放大器还包括第四晶体管和第二钳位晶体管，第四晶体管的第一极与电源端电连接，第四晶体管的控制极与第一偏置电压端电连接，第四晶体管为P沟道型晶体管；第二钳位晶体管的第一极与第四晶体管的第二极、第一钳位晶体管的控制极电连接，第二钳位晶体管的第二极与接地端电连接，第二钳位晶体管的控制极与第一钳位晶体管的第二极电连接。

在其中一些实施方式中，灵敏放大器还包括第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管以及缓冲器，第五晶体管的第一极与电源端电连接，第五晶体管的控制极与第二偏置电压端电连接，第五晶体管的第二极与预充电晶体管的第二极电连接；第六晶体管的第一极与电源端电连接，第六晶体管的控制极与第五晶体管的第二极电连接，第六晶体管为P沟道型晶体管；第七晶体管的第一极与第六晶体管的第二极电连接，第七晶体管的控制极与第三偏置电压端电连接，第七晶体管的第二极与接地端电连接；缓冲器的输入端与第六晶体管的第二极、第七晶体管的第一极电连接，缓冲器的输出端用于输出读出数据。

第二方面，本申请提供一种存储芯片，该存储芯片包括上述至少一实施方式中的灵敏放大器，存储芯片为异或型闪存。