[发明专利]热敏打印头及热敏打印头的制造方法在审
申请号: | 202211526891.5 | 申请日: | 2022-12-01 |
公开(公告)号: | CN116215084A | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 木本智士;木濑信和 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | B41J2/335 | 分类号: | B41J2/335 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热敏 打印头 制造 方法 | ||
1.一种热敏打印头,其特征在于,包括:
基材,其具有朝向厚度方向的一方的主面,且由单晶半导体构成;
电阻体层,其形成于所述主面之上,且包含在主扫描方向排列的多个发热部;
绝缘层,其形成于所述基材与所述电阻体层之间;和
蓄热层,其形成于所述基材与所述多个发热部之间,且为由玻璃材料构成的釉,
所述基材包括从所述主面突出且在所述主扫描方向延伸的凸部,
所述凸部包括:具有与所述主面平行的顶面的顶部;和与所述顶部和所述主面相连且相对于所述主面倾斜的倾斜部,
所述倾斜部包括:
第一斜面,其与所述主面相连,且相对于所述主面倾斜第一倾斜角;
第二斜面,其介于所述第一斜面与所述顶面之间,且相对于所述主面倾斜第二倾斜角,
所述蓄热层仅形成于所述顶面。
2.根据权利要求1所述的热敏打印头,其特征在于,
所述第一倾斜角大于所述第二倾斜角。
3.根据权利要求1或2所述的热敏打印头,其特征在于,
所述倾斜部还包括与所述顶面相连且相对于所述主面倾斜第三倾斜角的第三斜面。
4.根据权利要求3所述的热敏打印头,其特征在于,
所述第一倾斜角与所述第三倾斜角相等。
5.根据权利要求3或4所述的热敏打印头,其特征在于,
所述第二斜面与所述第三斜面相连。
6.根据权利要求3或4所述的热敏打印头,其特征在于,
所述倾斜部还包括与所述第二斜面和所述第三斜面相连且与所述主面平行的平行面。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的热敏打印头,其特征在于,
所述凸部的副扫描方向的尺寸为所述顶部的副扫描方向的尺寸的2倍以上10倍以下。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的热敏打印头,其特征在于,
所述单晶半导体由Si构成,
所述主面为(100)面。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的热敏打印头,其特征在于,
所述蓄热层的所述厚度方向的尺寸相对于副扫描方向的尺寸的比率为0.05以上0.25以下。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的热敏打印头,其特征在于,
所述蓄热层的上述厚度方向的尺寸为15μm以上60μm以下。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的热敏打印头,其特征在于,
所述蓄热层遍及所述顶面的副扫描方向的全长而形成。
12.一种热敏打印头的制造方法,其特征在于,包括:
准备工序,准备由单晶半导体构成的基材;
第一蚀刻工序,对所述基材实施第一各向异性蚀刻,形成朝向厚度方向的一方的主面、从所述主面突出的凸部、从所述凸部的与所述主面平行的上表面凹陷且在主扫描方向延伸的两个槽;
蓄热层形成工序,通过在所述上表面的被所述两个槽夹着的区域中配置玻璃膏并对该玻璃膏进行烧结,来形成蓄热层;
第二蚀刻工序,通过对所述基材实施第二各向异性蚀刻,除去所述凸部的一部分,在所述凸部形成作为所述上表面中的被所述两个槽夹着的区域的顶面、与所述主面相连且相对于所述主面倾斜第一倾斜角的第一斜面、介于所述第一斜面与所述顶面之间且相对于所述主面倾斜第二倾斜角的第二斜面;和
发热部形成工序,在所述蓄热层之上形成在所述主扫描方向上排列的多个发热部。
13.根据权利要求12所述的热敏打印头的制造方法,其特征在于,
在所述第二蚀刻工序中,在所述凸部还形成与所述顶面相连且相对于所述主面倾斜所述第一倾斜角的第三斜面。
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