[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202211530909.9 | 申请日： | 2022-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN116230703A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 酒井纯也;羽鸟宪司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L29/78;H03K17/14;H03K17/56 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其具有：
多个半导体芯片，它们各自包含多个半导体开关元件，所述多个半导体芯片彼此分离；以及
导电部，其将所述多个半导体芯片并联连接，
所述多个半导体开关元件的材料包含宽带隙半导体，
所述多个半导体开关元件中的至少任意1者的沟道长度小于或等于1.5μm。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述多个半导体开关元件中的至少任意1者的末端构造的宽度大于或等于1mm。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述多个半导体开关元件中的至少任意1者的耐压大于或等于2.0kV。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，
所述多个半导体芯片中的至少任意1者还包含续流二极管，该续流二极管不是所述半导体开关元件的体二极管。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，
关于所述多个半导体芯片中的至少任意1者，所述半导体芯片的1个边的长度大于或等于所述半导体芯片所包含的所述半导体开关元件的末端构造的宽度的3倍。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中，
所述导电部包含：
电路图案；以及
导线，其将所述多个半导体芯片中的任意者和所述电路图案连接，该导线的长度大于或等于5mm。
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