[发明专利]半导体装置

说明书

目的在于提供能够对振荡现象进行抑制的技术。半导体装置具有导体部、彼此分离的多个半导体芯片。多个半导体芯片各自包含多个半导体开关元件。导体部将多个半导体芯片并联连接。多个半导体芯片各自所包含的多个半导体开关元件的材料包含宽带隙半导体。多个半导体开关元件中的至少任意1者的沟道长度小于或等于1.5μm。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

近年来，提出了作为材料具有碳化硅(SiC)等宽带隙半导体的半导体开关元件(例如专利文献1)。

专利文献1：国际公开第2016/147243号

在将作为材料而具有宽带隙半导体的多个半导体开关元件并联连接的半导体装置中存在如下问题，即，不仅在稳定动作时，在启动时及短路动作时，也容易产生信号的振荡现象。特别地，在以半导体芯片为单位并联连接的结构中，存在该振荡现象变得显著这样的问题。

发明内容

因此，本发明就是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供能够对振荡现象进行抑制的技术。

本发明涉及的半导体装置具有：多个半导体芯片，它们各自包含多个半导体开关元件，所述多个半导体芯片彼此分离；以及导电部，其将所述多个半导体芯片并联连接，所述多个半导体开关元件的材料包含宽带隙半导体，所述多个半导体开关元件中的至少任意1者的沟道长度小于或等于1.5μm。

发明的效果

根据本发明，通过导电部将各自包含多个半导体开关元件的多个半导体芯片并联连接，多个半导体开关元件的材料包含宽带隙半导体，多个半导体开关元件中的至少任意1者的沟道长度小于或等于1.5μm。根据这样的结构，能够对振荡现象进行抑制。

附图说明

图1是表示实施方式1涉及的半导体装置的结构的俯视图。

图2是表示实施方式1涉及的半导体开关元件的结构的剖视图。

图3是表示实施方式2涉及的半导体开关元件的结构的俯视图。

图4是表示实施方式2的变形例涉及的半导体开关元件的结构的俯视图。

图5是表示实施方式3涉及的半导体装置的结构的电路图。

具体实施方式

以下，一边参照附图一边对实施方式进行说明。在下面的各实施方式中说明的特征只是例示，并非全部特征都是必需的。另外，在下面所示的说明中，在多个实施方式中对相同结构要素标注相同或类似的标号，主要对不同的结构要素进行说明。另外，在下面所记载的说明中，“上”、“下”、“左”、“右”、“表”或“背”等特定位置及方向并非未必与实际实施时的位置及方向一致。另外，某个部分比另一部分浓度高是指例如某个部分的浓度的平均值比另一部分的浓度的平均值高。相反地，某个部分比另一部分浓度低是指例如某个部分的浓度的平均值比另一部分的浓度的平均值低。

实施方式1

图1是表示本实施方式1涉及的半导体装置的结构的俯视图。图1的半导体装置具有绝缘基板1、电路图案2、3、多个半导体芯片4、5、导线6、7和栅极端子8。

电路图案2、3彼此分离，选择性地设置于绝缘基板1之上。电路图案2、3的材料例如为铜等金属。