[发明专利]一种隧穿型背接触异质结太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种隧穿型背接触异质结太阳能电池，其特征在于：它包括背面形成背面钝化层的硅片；所述硅片背面划分为第一半导体区、第二半导体区以及位于第一半导体区和第二半导体区之间的隔离区；所述位于隔离区的背面钝化层上设有绝缘膜层；所述绝缘膜层和位于第一半导体区的背面钝化层上设有第一半导体膜层；所述第一半导体膜层上和位于第二半导体区的背面钝化层上都由里及表依次设有第二半导体膜层和导电膜层；所述位于隔离区的导电膜层开设有对第一半导体区和第二半导体区进行绝缘隔离的隔离槽。

2.根据权利要求1所述的隧穿型背接触异质结太阳能电池，其特征在于：在第一半导体区和第二半导体区的导电膜层上对应设置第一电极和第二电极。

3.根据权利要求1所述的隧穿型背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述绝缘膜层的厚度为80nm-1.5um。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的隧穿型背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一半导体膜层包括第一导电型非晶硅层，所述第二半导体膜层包括第二导电型微晶硅层。

5.根据权利要求4所述的隧穿型背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一导电型非晶硅层是厚度为的N型非晶硅层，所述第二导电型微晶硅层是厚度为的P型微晶硅层；或者，所述第一导电型非晶硅层是厚度为的P型非晶硅层，所述第二导电型微晶硅层是厚度为的N型微晶硅层，所述P型非晶硅层的厚度应为N型微晶硅层的3-5倍。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的隧穿型背接触异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：硅片背面划分为第一半导体区、第二半导体区以及位于第一半导体区和第二半导体区之间的隔离区；该制作方法包括如下步骤，

A.在硅片背面形成背面钝化层；

B.在背面钝化层上形成绝缘膜层；

C.去除第一半导体区上的绝缘膜层，以形成第一半导体区开口；

D.在硅片背面形成第一导电型的第一半导体膜层；

E.去除第二半导体区上的第一半导体层和绝缘膜层，以形成第二半导体区开口；

F.在硅片背面形成第二导电型的第二半导体膜层；

G.在硅片背面形成导电膜层；

H.对位于隔离区的导电膜层进行开槽，以形成对第一半导体区和第二半导体区进行绝缘隔离的隔离槽。

7.根据权利要求6所述的隧穿型背接触异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述步骤C和/或步骤E的膜层去除方法为激光消融法，所述激光为脉冲式激光，脉冲宽度小于20纳秒。

8.根据权利要求7所述的隧穿型背接触异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述激光的脉冲宽度小于100皮秒，其低能量密度波长在510nm-560nm的绿光。

9.根据权利要求7所述的隧穿型背接触异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述步骤C和/或步骤E的膜层，用激光消融后，使用质量百分比为0.5％-5％的氢氟酸溶液进行浸泡清洗。

10.根据权利要求6-9任意一项所述的隧穿型背接触异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述步骤D的具体方法为，利用LPCVD方法或PECVD方法沉积非晶硅，并在此过程中掺入第一导电型掺杂剂，以形成第一导电型非晶硅层；

所述步骤F的具体方法为，利用LPCVD方法或PECVD方法沉积微晶硅，并在此过程中掺入第二导电型掺杂剂，以形成第二导电型微晶硅层。