[发明专利]一种隧穿型背接触异质结太阳能电池及其制作方法

说明书

本发明涉及一种隧穿型背接触异质结太阳能电池的制作方法，硅片背面划分为第一半导体区、第二半导体区以及位于第一半导体区和第二半导体区之间的隔离区；该制作方法包括如下步骤，A.在硅片背面形成背面钝化层；B.在背面钝化层上形成绝缘膜层；C.去除第一半导体区上的绝缘膜层，以形成第一半导体区开口；D.在硅片背面形成第一导电型的第一半导体膜层；E.去除第二半导体区上的第一半导体层和绝缘膜层，以形成第二半导体区开口；F.在硅片背面形成第二导电型的第二半导体膜层。本发明的目的在于提供一种隧穿型背接触异质结太阳能电池及其制作方法，其能极大缩短制造流程，生产成本降低。

技术领域

本发明涉及一种隧穿型背接触异质结太阳能电池及其制作方法。

背景技术

背接触太阳能电池，其电极全部分布在背面即P极和N极交叉排列于电池背面，分别收集晶体硅光伏效应产生的光生载流子，电池正面没有任何电极栅线遮挡产生的光学损失，可有效增加电池的短路电流，极大提高转换效率。但背接触太阳能电池存在工艺流程复杂冗长，在背面形成交叉排列的N型区和P型区需要完全隔离绝缘，生产中需要多次进行掩膜操作和严苛的对位要求，严重影响提产降耗。

发明内容

本发明的目的在于提供一种隧穿型背接触异质结太阳能电池及其制作方法，其能极大缩短制造流程，生产成本降低。

本发明的目的通过如下技术方案实现：

一种隧穿型背接触异质结太阳能电池的制作方法，硅片背面划分为第一半导体区、第二半导体区以及位于第一半导体区和第二半导体区之间的隔离区；该制作方法包括如下步骤，

A.在硅片背面形成背面钝化层；

B.在背面钝化层上形成绝缘膜层；

C.去除第一半导体区上的绝缘膜层，以形成第一半导体区开口；

D.在硅片背面形成第一导电型的第一半导体膜层；

E.去除第二半导体区上的第一半导体层和绝缘膜层，以形成第二半导体区开口；

F.在硅片背面形成第二导电型的第二半导体膜层。

一种隧穿型背接触异质结太阳能电池，它包括背面形成背面钝化层的硅片；所述硅片背面划分为第一半导体区、第二半导体区以及位于第一半导体区和第二半导体区之间的隔离区；所述位于隔离区的背面钝化层上设有绝缘膜层；所述绝缘膜层和位于第一半导体区的背面钝化层上设有第一半导体膜层；所述第一半导体膜层上和位于第二半导体区的背面钝化层上都由里及表依次设有第二半导体膜层和导电膜层；所述位于隔离区的导电膜层开设有对第一半导体区和第二半导体区进行绝缘隔离的隔离槽。

较之现有技术而言，本发明的优点在于：采用第一半导体膜层和第二半导体膜层叠设的隧穿型结构，减少制作过程中多次掩膜对位和清洗的复杂性，有效提升产能，降低生产成本，适用于大规模量产需求。

附图说明

图1是本发明一种实施例的结构简图。

图2是本发明一种实施例的制作流程图。

图3是本发明实施例中硅片清洗后的示意性截面图，正面金字塔绒面省略未画出。

图4是本发明实施例中沉积背面本征非晶硅层后的示意性截面图。

图5是本发明实施例中沉积正面本征非晶硅层后的示意性截面图。

图6是本发明实施例中沉积正面绝缘层后的示意性截面图。

图7是本发明实施例中沉积背面绝缘层后的示意性截面图。

图8是本发明实施例中形成第一半导体区的开口区域后的示意性截面图。

图9是本发明实施例中沉积N型非晶硅层后的示意性截面图。