[发明专利]清洗装置

说明书

本发明公开了一种清洗装置，包括：清洗槽，清洗槽具有清洗腔；第一承载结构用于承载待清洗件，第一承载结构可移动；第二承载结构用于承载待清洗件，第二承载结构可移动；驱动机构用于在驱动第一承载结构移动至脱离待清洗件的情况下，驱动第二承载结构移动至承载待清洗件；驱动机构用于在驱动第一承载结构移动至承载待清洗件的情况下，驱动第二承载结构移动至脱离待清洗件。待清洗件可以为硅片，在槽内清洗硅片时，通过第一承载结构与第二承载结构可以交替进行承载待清洗件，使承载结构与硅片接触部位得到较好清洗，提高硅片的清洗效果。

技术领域

本发明属于硅片技术领域，具体涉及一种清洗装置。

背景技术

硅片清洗作为制作光伏电池和集成电路的基础，非常重要，清洗的效果直接影响到光伏电池和集成电路最终的性能、效率和稳定性。硅片从硅棒上切割下来，硅片表面的多层晶格处于被破的状态，布满不饱和的悬挂键，悬挂键的活性较高，十分容易吸附外界的杂质粒子，导致硅片表面被污染且性能变差。颗粒杂质会导致硅片的介电强度降低，金属离子会增大光伏电池P-N结的反向漏电流和降低少子的寿命，有机化合物使氧化层的质量劣化，H₂O会加剧硅表面的腐蚀。清洗硅片不仅要除去硅片表面的杂质，而且要使硅片表面钝化，从而减小硅片表面的吸附能力。高规格的硅晶片对表面的洁净度要求非常严格，理论上不允许存在任何颗粒、金属离子、有机粘附、水汽、氧化层等，而且硅片表面要求具有原子级的平整度，硅片边缘的悬挂键以结氢终止。由于硅片清洗技术的缺陷，大规模集成电路中因为硅基体的洁净度不够而产生问题，甚至失效的比例达到50％，因此优化硅片的清洗工艺极其必要。

目前，硅片的清洗工序主要使用槽式清洗方式，在槽内部清洗时，使用承载件承接硅片，由于承载件与硅片的接触部位是固定的，硅片在接触点清洗不到，造成清洗效果不佳。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种清洗装置，用以解决在槽内清洗硅片时，承载件与硅片的接触部位不易清洗，清洗效果差的问题。

本发明实施例提供了一种清洗装置，包括：

清洗槽，所述清洗槽具有清洗腔；

第一承载结构，所述第一承载结构用于承载待清洗件，所述第一承载结构可移动；

第二承载结构，所述第二承载结构用于承载所述待清洗件，所述第二承载结构可移动；

驱动机构，所述驱动机构用于在驱动所述第一承载结构移动至脱离所述待清洗件的情况下，驱动所述第二承载结构移动至承载所述待清洗件；

所述驱动机构用于在驱动所述第一承载结构移动至承载所述待清洗件的情况下，驱动所述第二承载结构移动至脱离所述待清洗件。

其中，所述驱动机构包括：

第一驱动机构与第二驱动机构，所述第一驱动机构在驱动所述第一承载结构沿所述清洗腔的高度方向向下移动至脱离所述待清洗件的情况下，所述第二驱动机构驱动所述第二承载结构沿所述清洗腔的高度方向向上移动至承载所述待清洗件；

所述第一驱动机构在驱动所述第一承载结构沿所述清洗腔的高度方向向上移动至承载所述待清洗件的情况下，所述第二驱动机构驱动所述第二承载结构沿所述清洗腔的高度方向向下移动至脱离所述待清洗件。

其中，所述第一承载结构包括：

多个第一承载杆，多个所述第一承载杆间隔设置，所述第一承载杆用于承载所述待清洗件，所述第一承载杆可移动，在所述第一承载杆移动过程中，所述第一承载杆脱离或承载所述待清洗件。

其中，所述驱动机构包括：

第一驱动机构，每个所述第一驱动机构用于驱动一个所述第一承载杆移动。

其中，所述第一驱动机构包括第一凸轮，在所述第一凸轮转动过程中，所述第一凸轮驱动所述第一承载杆移动。