[发明专利]静电防护电路、方法、系统、设备及存储介质在审
申请号: | 202211536706.0 | 申请日: | 2022-12-01 |
公开(公告)号: | CN115764816A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 谷欣明;江哲维;南帐镇;姜心愿;李春燕;张炳城 | 申请(专利权)人: | 北京奕斯伟计算技术股份有限公司;合肥奕斯伟计算技术有限公司 |
主分类号: | H02H7/20 | 分类号: | H02H7/20;H02H9/04;H02H9/02 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 周艳;王黎延 |
地址: | 101102 北京市大兴区北京经*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 防护 电路 方法 系统 设备 存储 介质 | ||
1.一种静电防护电路,其特征在于,所述静电防护电路包括:输入模块、电流释放模块、开关模块和开关控制模块;
所述输入模块的第一端接入待防护芯片的输入信号,所述输入模块的第二端分别与所述电流释放模块的第一端以及所述开关控制模块的第一端相连接;所述开关控制模块的第二端与所述开关模块的第一端相连接,所述开关控制模块的第三端与所述开关模块的第二端相连接,所述开关控制模块的第四端分别与所述开关模块的第三端以及所述电流释放模块的第二端相连接;
所述开关控制模块,用于在所述输入信号为所述静电释放信号的情况下,降低所述静电释放信号的电压,并将已降低电压提供至所述开关模块;
所述开关模块,用于基于所述已降低电压进行入导通状态;
所述电流释放模块,用于在所述静电释放信号的电压大于或等于预设电压阈值的情况下,进入导通状态,并释放所述静电释放信号的电流。
2.根据权利要求1所述的静电防护电路,其特征在于,所述开关控制模块,包括:第一压降子模块、高频子模块和第二压降子模块;
所述第一压降子模块的第一端与所述输入模块的第二端相连接,所述第一压降子模块的第二端分别与所述高频子模块的第一端以及所述开关模块的第一端相连接;所述高频子模块的第二端分别与所述开关模块的第二端以及所述第二压降子模块的第一端相连接;所述第二压降子模块的第二端分别与所述开关模块的第三端、所述电流释放模块的第二端以及接地电压端相连接;
所述第一压降子模块,用于在所述输入信号为所述静电释放信号的情况下,在所述第一压降子模块的两端形成压降,并将所述静电释放信号传输至所述高频子模块;
所述高频子模块,用于响应于所述静电释放信号,进入导通状态;
所述第二压降子模块,用于在所述高频子模块进入导通状态的情况下,与所述第一压降子模块串联;
串联的所述第一压降子模块和所述第二压降子模块,用于对所述静电释放信号的电压进行分压,将得到的所述已降低电压提供至所述开关模块的第二端。
3.根据权利要求2所述的静电防护电路,其特征在于,所述高频子模块,还用于在所述输入信号为所述待防护芯片的工作信号的情况下,进入断开状态。
4.根据权利要求2所述的静电防护电路,其特征在于,所述第一压降子模块包括多晶硅电阻;
所述第二压降子模块包括以下之一:多晶硅电阻和晶体管电阻;
所述高频子模块包括以下之一:金属电容和晶体管电容。
5.根据权利要求1至4任一项所述的静电防护电路,其特征在于,在所述开关模块为高压n通道晶体管的情况下,所述开关模块的第一端为所述高压n通道晶体管的漏端,所述开关模块的第二端为所述高压n通道晶体管的栅端,所述开关模块的第三端为所述高压n通道晶体管的源端。
6.根据权利要求1所述的静电防护电路,其特征在于,所述静电防护电路中包括至少一个所述开关模块和至少一个所述开关控制模块;所述开关模块与所述开关控制模块一一对应;
每一开关模块与对应的开关控制模块相连接形成的电路模块,与其他开关模块与对应的开关模块模块相连接形成的电路模块之间并联。
7.根据权利要求1所述的静电防护电路,其特征在于,所述开关模块的第二端与所述待防护芯片的内部逻辑电路相连接;
所述待防护芯片的内部逻辑电路,用于向所述第开关模块输出逻辑信号;
所述开关模块,用于在所述输入信号为所述待防护芯片的工作信号的情况下,响应于所述逻辑信号,进入关闭状态或导通状态。
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