[发明专利]静电防护电路、方法、系统、设备及存储介质

说明书

本申请实施例公开了一种静电防护电路、方法、系统、设备及存储介质，其中，该电路包括：输入模块的第一端接入待防护芯片的输入信号，第二端分别与电流释放模块的第一端以及开关控制模块的第一端相连接；开关控制模块的第二端与开关模块的第一端相连接，第三端与开关模块的第二端相连接，第四端分别与开关模块的第三端以及电流释放模块的第二端相连接；开关控制模块，用于在输入信号为静电释放信号的情况下，降低静电释放信号的电压，并将已降低电压提供至开关模块；开关模块，用于基于已降低电压进行入导通状态；电流释放模块，用于在静电释放信号的电压大于或等于预设电压阈值的情况下，进入导通状态，并释放静电释放信号的电流。

技术领域

本申请涉及但不限于显示技术领域，尤其涉及一种静电防护电路、方法、系统、设备及存储介质。

背景技术

静电释放(Electro-Static Discharge，ESD)一直在电子器件，电路和系统方面是一个需要解决的问题。消费，工业，航空航天，军事和医疗等各个领域都受这个问题的影响。ESD保护在显示芯片、电源管理芯片、驱动芯片和汽车芯片中越来越重要，但是在相关技术中，在ESD事件发生时，ESD电压和电流进入到芯片内部，使得高压n通道金氧半场效晶体管(High Voltage Negtive Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，HVNMOS)在ESD高压情况下发生骤回(snapback)击穿损坏。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例至少提供一种静电防护电路、方法、系统、设备及存储介质。

本申请实施例的技术方案是这样实现的：

一方面，本申请实施例提供一种静电防护电路，所述静电防护电路包括：

输入模块、电流释放模块、开关模块和开关控制模块；

所述输入模块的第一端接入待防护芯片的输入信号，所述输入模块的第二端分别与所述电流释放模块的第一端以及所述开关控制模块的第一端相连接；所述开关控制模块的第二端与所述开关模块的第一端相连接，所述开关控制模块的第三端与所述开关模块的第二端相连接，所述开关控制模块的第四端分别与所述开关模块的第三端以及所述电流释放模块的第二端相连接；

所述开关控制模块，用于在所述输入信号为所述静电释放信号的情况下，降低所述静电释放信号的电压，并将已降低电压提供至所述开关模块；

所述开关模块，用于基于所述已降低电压进行入导通状态；

所述电流释放模块，用于在所述静电释放信号的电压大于或等于预设电压阈值的情况下，进入导通状态，并释放所述静电释放信号的电流。

另一方面，本申请实施例提供一种静电防护方法，应用于上述的静电防护电路，所述方法包括：

采用所述静电防护电路中的输入模块接收待防护芯片的输入信号；

在所述输入信号为所述静电释放信号的情况下，采用所述静电防护电路中的开关控制模块降低所述静电释放信号的电压，得到已降低电压；

基于所述已降低电压，导通所述静电防护电路中的开关模块；

在所述静电释放信号的电压大于或等于预设电压阈值的情况下，导通所述静电防护电路中的电流释放模块，采用所述电流释放模块释放所述静电释放信号的电流。

再一方面，本申请实施例提供一种静电防护设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现上述方法中的部分或全部步骤。

又一方面，本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述方法中的部分或全部步骤。