[发明专利]一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法

权利要求书

1.一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，其特征在于：包括台柱(1)，所述台柱(1)顶端安装有分盘器(2)，所述分盘器(2)顶端固定有四个安装架(3)，四个所述安装架(3)呈圆周状阵列分布，所述安装架(3)远离台柱(1)的一端安装有夹持组件(4)，所述夹持组件(4)用以夹持MOSFET，所述台柱(1)外部分别设置有送料架(5)、刻蚀池(6)、喷淋架(7)、出料架(8)。

2.根据权利要求1所述的一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，其特征在于：所述夹持组件(4)包括伸缩杆(401)，所述伸缩杆(401)上下两端均固接有L形的连接杆(402)，一对所述连接杆(402)的安装方向相反，一端所述连接杆(402)安装在安装架(3)内部，另一端所述连接杆(402)固接有连接板(403)，所述连接板(403)远离连接杆(402)的一端固定有放置板(405)，所述放置板(405)顶端开设有放置槽，所述放置板(405)地面固接有分隔板(404)。

3.根据权利要求2所述的一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，其特征在于：所述连接板(403)上方设置有斜推块(406)，所述斜推块(406)底端安装有封闭组件(9)，所述封闭组件(9)用以在斜推块(406)的带动下封闭放置在放置槽内的MOSFET，所述送料架(5)与刻蚀池(6)之间设置有转向滑板(10)，所述转向滑板(10)与斜推块(406)相适配，所述转向滑板(10)远离台柱(1)的一侧固定有连接架(11)。

4.根据权利要求3所述的一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，其特征在于：所述封闭组件(9)包括传动板(901)，所述传动板(901)与斜推块(406)固定连接，所述传动板(901)底端固接有一对升降杆(902)，所述升降杆(902)底端固接有升降板(905)，所述升降板(905)与连接板(403)滑动连接，所述升降板(905)底端固接有限位杆(908)，所述升降板(905)与连接板(403)之间固接有复位弹簧(907)，所述传动板(901)靠近放置板(405)的一侧转动连接有推挤杆(903)，所述推挤杆(903)远离传动板(901)的一端转动连接有封闭板(904)，所述封闭板(904)与放置板(405)滑动连接。

5.根据权利要求4所述的一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，其特征在于：所述升降板(905)内部滑动连接有一对磁性卡接块(906)，所述磁性卡接块(906)与升降板(905)之间固接有卡接弹簧，所述升降板(905)内部且位于一对磁性卡接块(906)之间安装有通电磁铁，所述连接板(403)内部且位于复位弹簧(907)的两侧开设有与磁性卡接块(906)相适配的卡槽。

6.根据权利要求2所述的一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，其特征在于：与安装架(3)连接的所述连接杆(402)外部固接有转向齿轮(12)，所述出料架(8)两侧均设置有调节齿条(13)，所述调节齿条(13)通过支柱进行安装。

7.根据权利要求2所述的一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，其特征在于：与安装架(3)安装的所述连接杆(402)远离伸缩杆(401)的一端通过连杆固接有卡接组件，所述卡接组件外部安装有卡接环(14)，所述卡接环(14)与安装架(3)固定连接，所述卡接组件用以对连杆进行限位。

8.根据权利要求7所述的一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，其特征在于：所述卡接组件包括转动杆(15)，所述转动杆(15)与连杆固定连接，所述转动杆(15)外部滑动连接有多个卡条(16)，多个所述卡条(16)呈圆周状分布，所述卡条(16)靠近转动杆(15)的一侧固定有多个限位柱(17)，所述限位柱(17)与转动杆(15)滑动连接，所述卡条(16)与转动杆(15)之间固接有多个限位弹簧(18)，所述卡接环(14)内部开设有多个与卡条(16)相适配的限位槽。