[发明专利]一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法

说明书

本发明属于半导体技术领域，具体的说是一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，包括台柱，所述台柱顶端安装有分盘器，所述分盘器顶端固定有四个安装架，四个所述安装架呈圆周状阵列分布，所述安装架远离台柱的一端安装有夹持组件，所述夹持组件用以夹持MOSFET，所述台柱外部分别设置有送料架、刻蚀池、喷淋架、出料架，所述夹持组件包括伸缩杆，所述伸缩杆上下两端均固接有L形的连接杆，一对所述连接杆的安装方向相反；通过设置四个工位的方式，可以在刻蚀作业的过程中即可完成上料、清洗、下料作业，无需等待单个MOSFET彻底处理完成后才进行下一步作业，节约了大量的等待时间，实现了不间断的自动化刻蚀作业，提高MOSFET的生产效率。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体的说是一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法。

背景技术

碳化硅是第三代半导体材料，其各项性能都要由于硅，例如其电子饱和漂移速率是硅的2倍，临界击穿场强是硅的10倍，碳化硅在高能效、高功率、高温电力电子技术中具有明显竞争力，现已成为当前功率半导体技术的研究热点。

碳化硅MOSFET主要有平面和沟槽两种结构，其中沟槽碳化硅MOSFET消除了结型场效应管区域的电阻，减小了沟道尺寸，增大了沟道密度，提高了器件的电流能力，从而受到了广泛的应用。

目前在对带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET进行制备时，需要对原材料进行刻蚀，以形成沟槽，而目前的刻蚀装置在同一时间只能进行单一的刻蚀作业，设备利用效率低刻蚀效率不高；为此，本发明提供一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法。

发明内容

为了弥补现有技术的不足，解决背景技术中所提出的至少一个技术问题。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明所述的一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，包括台柱，所述台柱顶端安装有分盘器，所述分盘器顶端固定有四个安装架，四个所述安装架呈圆周状阵列分布，所述安装架远离台柱的一端安装有夹持组件，所述夹持组件用以夹持MOSFET，所述台柱外部分别设置有送料架、刻蚀池、喷淋架、出料架；工作时，首先通过送料架将原材料送入到夹持组件内部，而后夹持组件将其夹持住，在这之后，分盘器进行转动带动安装架转动，安装架转动从而带动夹持组件转动，从而将夹持组件自送料架输送至刻蚀池内，从而对夹持组件内部的原材料进行刻蚀，在刻蚀完成后，分盘器继续转动带动夹持组件运动至喷淋架内部，从而对刻蚀好的MOSFET进行清洗，清洗完成后夹持组件会带动成品运动至出料架上，并通过出料架将刻蚀好的MOSFET输送走，通过设置四个工位的方式，可以实现不间断的自动化刻蚀作业，提高MOSFET的生产效率。

优选的，所述夹持组件包括伸缩杆，所述伸缩杆上下两端均固接有L形的连接杆，一对所述连接杆的安装方向相反，一端所述连接杆安装在安装架内部，另一端所述连接杆固接有连接板，所述连接板远离连接杆的一端固定有放置板，所述放置板顶端开设有放置槽，所述放置板地面固接有分隔板；工作时，当MOSFET原料经过送料架进行输送时，MOSFET原料首先会掉入到放置板内部开设的放置槽内，从而达到对MOSFET进行自动装运的效果，而通过伸缩杆的设置，可以有效的调节放置板的高度，从而使得在运输的过程中不会与其他的结构发生碰撞，而通过伸缩杆的设置可以调节放置板在刻蚀池内部的位置，进而调节刻蚀液与MOSFET原料的接触深度，便于对刻蚀质量的控制。